[發(fā)明專利]一種基于碳硅融合技術(shù)的加解密芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711304072.5 | 申請日： | 2017-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN108038394B | 公開（公告）日： | 2021-04-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 程旭;韓曉磊;陸俊林;李群;李寧 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京北大眾志微系統(tǒng)科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | G06F21/72 | 分類號： | G06F21/72;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生專利代理有限責(zé)任公司 11251 | 代理人： | 楊學(xué)明;顧煒 |
| 地址： | 100080 北京市海淀區(qū)中關(guān)*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 融合 技術(shù) 解密 芯片 | ||
1.一種基于碳硅融合技術(shù)的加解密芯片，其特征在于：包括硅基晶體管加解密算法電路以及碳納米晶體管密鑰注入存儲電路，其中，所述的硅基晶體管加解密算法電路是以硅為襯底的硅基集成電路；所述的碳納米晶體管密鑰注入存儲電路設(shè)置在碳納米晶體管集成電路中，注入存儲不同的密鑰；所述的碳納米晶體管集成電路疊加在硅基集成電路上，進行二次集成；碳納米晶體管集成電路分為功能區(qū)和非功能區(qū)，所述功能是指密鑰注入存儲功能，所述碳納米晶體管密鑰注入存儲電路位于功能區(qū)；非功能區(qū)由多層無關(guān)功能的碳納米晶體管組成，覆蓋在功能區(qū)之上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于碳硅融合技術(shù)的加解密芯片，其特征在于：在硅基集成電路的裸芯片鈍化層之上進行平坦化，生成水毀性薄膜，在水毀性薄膜之上生成碳納米晶體管集成電路，在碳納米晶體管集成電路上形成碳納米晶體管密鑰注入存儲電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于碳硅融合技術(shù)的加解密芯片，其特征在于：碳納米晶體管集成電路中的碳納米晶體管通過引線鍵合或硅通孔實現(xiàn)碳納米晶體管集成電路與硅基電路集成電路的互連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于碳硅融合技術(shù)的加解密芯片，其特征在于：碳納米晶體管集成電路疊加在硅基集成電路上，進行二次集成，之后進行集成電路封裝，使得碳納米晶體管密鑰注入存儲電路封裝在所述加解密芯片內(nèi)部。
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