[發(fā)明專利]驅(qū)動(dòng)電路及驅(qū)動(dòng)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711297746.3
• 申請(qǐng)日: 2017-12-08
• 公開（公告）號(hào): CN108062936B
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張先明;張?jiān)?/a>
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/36
• 分類號(hào): G09G3/36
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發(fā)明公開一種驅(qū)動(dòng)電路及驅(qū)動(dòng)方法，所述驅(qū)動(dòng)電路包含一電流偵測(cè)單元、一信號(hào)放大單元、一模數(shù)轉(zhuǎn)換器、一時(shí)序控制器及一電平移位器。利用所述電流偵測(cè)單元的設(shè)計(jì)，并配合所述信號(hào)放大單元、時(shí)序控制器及電平移位器來(lái)調(diào)整所述保護(hù)時(shí)間、所述延遲時(shí)間以及過電流保護(hù)的大小，因而能夠偵測(cè)漏電流，以確定所述電平移位器的電流保護(hù)保護(hù)設(shè)置，并針對(duì)每一個(gè)機(jī)種的老化程度不同以及老化的時(shí)間不同，設(shè)定出不同的保護(hù)方式，減少在使用過程中的誤動(dòng)作。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種驅(qū)動(dòng)電路及驅(qū)動(dòng)方法，特別是有關(guān)于一種設(shè)置在面板非顯示區(qū)域的驅(qū)動(dòng)電路及驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)

一般柵極陣列集成電路(Gate-driver on Array,GOA)技術(shù)能夠利用TFT來(lái)實(shí)現(xiàn)移位寄存器的電路功能，將移位寄存器集成到像素陣列基板之上。GOA可以與像素基板在同一制程工藝下完成，從而簡(jiǎn)化了整個(gè)顯示裝置的生產(chǎn)流程。另外，GOA技術(shù)(Gate Driver onArray)即陣列基板行驅(qū)動(dòng)技術(shù)，是運(yùn)用液晶顯示面板的原有陣列制程將水平掃描線的驅(qū)動(dòng)電路制作在顯示區(qū)周圍的基板上，使之能替代外接集成電路板((Integrated Circuit，IC)來(lái)完成水平掃描線的驅(qū)動(dòng)。GOA技術(shù)能減少外接IC的焊接(bonding)工序，有機(jī)會(huì)提升產(chǎn)能并降低產(chǎn)品成本，而且可以使液晶顯示面板更適合制作窄邊框或無(wú)邊框的顯示產(chǎn)品。

然而，目前(Thin film transistor liquid crystal display,TFT-LCD)在經(jīng)過老化之后，由于制程的差異以及漂移，其內(nèi)部的TFT元件很容易老化，導(dǎo)致IV Curve漂移，不同的條件下的飄移量是不同的。特別是針對(duì)GOA機(jī)種，其內(nèi)部的TFT-LCD在老化之后，面板驅(qū)動(dòng)的電平移位器(Level Shifter IC)就很難在關(guān)機(jī)的時(shí)候?qū)?nèi)部的電荷放掉，之后再次開機(jī)的時(shí)候很容易導(dǎo)致GOA線路在工作中漏電，導(dǎo)致大電流出現(xiàn)，甚至觸發(fā)過電流保護(hù)(OverCurrent Protection,OCP)。

因此，有必要提供改良的一種驅(qū)動(dòng)電路及驅(qū)動(dòng)方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種驅(qū)動(dòng)電路及驅(qū)動(dòng)方法，利用電流偵測(cè)單元來(lái)偵測(cè)漏電流，再通過時(shí)序控制器判斷漏電流的大小，以確定電平移位器的OCP保護(hù)設(shè)置，因而能夠針對(duì)每一個(gè)機(jī)種的老化程度不同以及老化的時(shí)間不同，設(shè)定出不同的LevelShifter保護(hù)方式，減少在使用過程中的誤動(dòng)作。

為達(dá)成本發(fā)明的前述目的，本發(fā)明一實(shí)施例提供一種驅(qū)動(dòng)電路，所述驅(qū)動(dòng)電路包含一電流偵測(cè)單元、一信號(hào)放大單元、一模數(shù)轉(zhuǎn)換器、一時(shí)序控制器及一電平移位器；其中所述電流偵測(cè)單元電性連接一掃描線及一數(shù)據(jù)線；所述信號(hào)放大單元電性連接所述電流偵測(cè)單元；所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器電性連接所述信號(hào)放大單元，用于將一電壓轉(zhuǎn)換成一數(shù)據(jù)值；所述時(shí)序控制器電性連接所述信號(hào)放大單元，用于通過接收所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器的數(shù)據(jù)值來(lái)判斷一漏電流的大小，并運(yùn)算出所述數(shù)據(jù)值的一對(duì)應(yīng)值；所述電平移位器電性連接所述時(shí)序控制器，用于通過接收所述數(shù)據(jù)值的對(duì)應(yīng)值，而產(chǎn)生一保護(hù)時(shí)間及一延遲時(shí)間。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述電流偵測(cè)單元具有一第一MOS晶體管、一第二MOS晶體管、一電容及一采樣電阻，其中所述第一MOS晶體管具有：一柵極，電性連接所述掃描線；一漏極，電性連接所述數(shù)據(jù)線；及一源極，電性連接所述第二MOS晶體管的一漏極；所述第二MOS晶體管具有：一柵極，電性連接一柵極驅(qū)動(dòng)低電壓；一源極，通過所述采樣電阻接地；及所述漏極通過所述電容連接一公共電極線。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述信號(hào)放大單元具有一第一運(yùn)算放大器及一第二運(yùn)算放大器，所述第一運(yùn)算放大器的一輸入端電性連接所述第二MOS晶體管的源極，所述第二運(yùn)算放大器的一輸入端電性連接所述第一運(yùn)算放大器的一輸出端，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器的一輸入端電性連接所述第二運(yùn)算放大器的一輸出端。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述第一MOS晶體管及第二MOS晶體管為N溝道增強(qiáng)型MOS晶體管。