[發明專利]驅動電路及驅動方法

有效

• 申請號: 201711297746.3
• 申請日: 2017-12-08
• 公開（公告）號: CN108062936B
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 張先明;張裕樺
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G09G3/36
• 分類號: G09G3/36
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種驅動電路，其特征在于：所述驅動電路包含：

一電流偵測單元，電性連接一掃描線及一數據線，其中所述電流偵測單元具有：一第一MOS晶體管；一第二MOS晶體管；一電容，電性連接所述第二MOS晶體管；及一采樣電阻，電性連接所述第二MOS晶體管，其中所述電容配置用于充電之后，獲得所述采樣電阻之間的一第一電壓；

一信號放大單元，電性連接所述電流偵測單元，所述信號放大單元具有一第一運算放大器及一第二運算放大器，所述第一運算放大器配置用以將所述第一電壓轉換為一第二電壓，所述第二運算放大器配置用以將所述第二電壓轉換為一第三電壓；

一模數轉換器，電性連接所述信號放大單元，用于將所述第三電壓轉換成一數據值；

一時序控制器，電性連接所述信號放大單元，用于通過接收所述模數轉換器的數據值來判斷一漏電流的大小，并運算出所述數據值的一對應值，并換算出實時偵測電流電壓曲線的漂移，再根據漂移的偏移量來判斷目前所需要的保護程度以及保護界限；

一電平移位器，電性連接所述時序控制器，用于通過接收所述數據值的對應值，而產生調整的一保護時間及一延遲時間。

2.如權利要求1所述的驅動電路，其特征在于：所述第一MOS晶體管具有：一柵極，電性連接所述掃描線；一漏極，電性連接所述數據線；及一源極，電性連接所述第二MOS晶體管的一漏極；所述第二MOS晶體管具有：一柵極，電性連接一柵極驅動低電壓；一源極，通過所述采樣電阻接地；及所述漏極通過所述電容連接一公共電極線。

3.如權利要求2所述的驅動電路，其特征在于：所述第一運算放大器的一輸入端電性連接所述第二MOS晶體管的源極，所述第二運算放大器的一輸入端電性連接所述第一運算放大器的一輸出端，所述模數轉換器的一輸入端電性連接所述第二運算放大器的一輸出端。

4.如權利要求2所述的驅動電路，其特征在于：所述第一MOS晶體管及第二MOS晶體管為N溝道增強型MOS晶體管。

5.如權利要求3所述的驅動電路，其特征在于：所述第一運算放大器為一電壓跟隨器。

6.如權利要求3所述的驅動電路，其特征在于：所述第二運算放大器為一電壓放大器。

7.一種驅動方法，其特征在于：所述驅動方法包含步驟：

一電容充電步驟，當每一幀的一掃描線進行掃描時，對一電流偵測單元的一電容充電而形成一充電電壓；

一電流偵測步驟，當結束每一幀的掃描線掃描之后，關斷一電流偵測單元的一第一MOS晶體管，使所述電流偵測單元的一第二MOS晶體管的一柵極電性連接一柵極驅動低電壓，而且所述第二MOS晶體管的一源極形成一第一電壓；

一電壓放大步驟，利用一信號放大單元的一第一運算放大器將所述第一電壓轉換為一第二電壓，接著利用所述信號放大單元的一第二運算放大器將所述第二電壓轉換為一第三電壓；

一模數轉換步驟，利用一模數轉換器將所述第三電壓轉換成一數據值；

一運算步驟，通過一時序控制器讀取所述數據值來判斷一漏電流的大小，并運算出所述數據值的一對應值，再換算出實時偵測電流電壓曲線的漂移，再根據漂移的偏移量來判斷目前所需要的保護程度以及保護界限，并且將所述對應值寫入一電平移位器中；及

一調整步驟，利用所述對應值來調整所述電平移位器的一保護時間及一延遲時間。

8.如權利要求7所述的驅動方法，其特征在于：在所述電壓放大步驟中，所述第一運算放大器為一電壓跟隨器。

9.如權利要求7所述的驅動方法，其特征在于：在所述電壓放大步驟中，所述第二運算放大器為一電壓放大器。

10.如權利要求7所述的驅動方法，其特征在于：在所述電容充電步驟中，所述第一MOS晶體管的源極電性連接一調整亮度電壓端，所述充電電壓為所述調整亮度電壓端的一調整亮度電壓的1/14。