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[發明專利]半導體封裝模組的切割方法及半導體封裝單元在審

專利信息
申請號: 201711297556.1 申請日: 2017-12-08
公開(公告)號: CN109904296A 公開(公告)日: 2019-06-18
發明(設計)人: 王昇龍;詹富豪 申請(專利權)人: 昱鑫制造股份有限公司
主分類號: H01L33/48 分類號: H01L33/48;H01L33/54;H01L25/075;H01L21/78;H01L21/268
代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 代理人: 馬雯雯;臧建明
地址: 中國臺*** 國省代碼: 中國臺灣;71
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摘要:
搜索關鍵詞: 基板 半導體封裝單元 封裝層 復數 半導體封裝 切割線 模組 切割 半導體芯片 雷射 影響半導體 表面定義 點狀凹陷 封裝單元 雷射切割 切割通道 對基板 裂開 包覆 良率 燒焦 施力 投射 制程 制作
【說明書】:

發明公開了一種半導體封裝模組的切割方法及其半導體封裝單元,主要于基板上設置復數個半導體芯片,并以封裝層包覆半導體芯片及基板的表面。在基板的表面定義復數個切割線,并以雷射在切割線上的基板或封裝層上形成復數個點狀凹陷部,而后對基板施力,使得基板沿著切割線裂開,并形成復數個半導體封裝單元。在本發明中主要使用雷射切割半導體封裝模組,并于切割時調整雷射的功率或投射在基板或封裝層的時間,以避免封裝層燒焦而影響半導體封裝單元的良率。此外亦可減少或省去基板上的切割通道,以提高單位面積上半導體封裝單元的設置數量、提高制程的產出數量及降低半導體封裝單元的制作成本。

【技術領域】

本發明涉及一種半導體封裝模組的切割方法及其半導體封裝單元,主要使用雷射切割半導體封裝模組,并于切割時調整雷射的功率或投射在基板或封裝層的時間,以提高單位面積上半導體封裝單元的設置數量、提高制程的產出數量及降低半導體封裝單元的制作成本。

【背景技術】

發光二極體(LED;Light-Emitting Diode)由于具備有壽命長、體積小、耗電量少、反應速度快、無輻射及單色性發光之特性及優點,因此被廣泛應用于指示燈、廣告廣告牌、交通號志燈、汽車車燈、顯示器面板、通訊器具、消費電子等各項產品中。

如圖1及圖2所示,分別為習用技術發光二極體的側視圖及俯視圖,發光二極體模組10包括一基板11、復數個發光二極體晶粒13及至少一封裝層15,其中基板11上設置復數個發光二極體晶粒13,并以封裝層15包覆基板11上的各個發光二極體晶粒13,藉此在各個發光二極體晶粒13上形成一封裝體151及保護層153。具體來說,封裝體151可為半圓球狀、平面或曲面的構造,除了可用以保護發光二極體晶粒13之外,亦可用以聚焦發光二極體晶粒13所產生的光源。

在完成發光二極體晶粒13及封裝層15的設置后,可透過刀具12切割兩個相鄰的發光二極體晶粒13之間的封裝層15及基板11,例如可沿著圖1及圖2的切割線14切割發光二極體模組10,藉此以形成復數個發光二極體101。

此外為了方便使用刀具12切割發光二極體模組10,在基板11上設置發光二極體晶粒13時,會在相鄰的發光二極體晶粒13之間除了保護層153作用寬度外還預留一切割通道17,以避免在切割過程中,刀具12損壞了封裝體151或發光二極體晶粒13。由于切割通道17的存在,將減少基板11上可設置發光二極體晶粒13的數量,相對也增加發光二極體晶粒13的制作成本。

此外發光二極體模組10在經過刀具12切割后,往往會產生碎屑,因此往往需要以水或清潔液沖洗經過切割的發光二極體101。然而在清潔發光二極體101的過程中,有可能會導致基板11上的封裝層15或剩下的保護層153脫離,進而降低發光二極體101的良率。

【發明內容】

本發明的目的就是提供一種半導體封裝模組的切割方法及其半導體封裝單元,使用雷射切割半導體封裝模組,相較于使用刀具切割基板或封裝層,可有效減少基板上預留的切割通道的面積,以提高單位面積上半導體封裝單元的設置數量、提高制程的產出數量、降低半導體封裝單元的制作成本及減少基板在切割時的碎裂物質。

為了達成上述目的,本發明采用以下技術方案:

一種半導體封裝模組的切割方法,包括:

在一基板的一表面上設置復數個半導體芯片;

以一封裝層包覆設置在所述基板的表面的半導體芯片;

將一雷射投射在相鄰兩個所述半導體芯片之間的基板或所述封裝層,并在所述基板或所述封裝層上形成復數個點狀凹陷部;及

對所述基板施力,使得所述基板沿著所述復數個點狀凹陷部裂開,并形成復數個半導體封裝單元。

所述的半導體封裝模組的切割方法,包括以下步驟:將所述雷射一次或多次投射在所述基板或所述封裝層的相同位置上,并于所述基板或所述封裝層上形成所述復數個點狀凹陷部。

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