[發明專利]半導體封裝模組的切割方法及半導體封裝單元

在審

• 申請號: 201711297556.1
• 申請日: 2017-12-08
• 公開（公告）號: CN109904296A
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發明（設計）人: 王昇龍;詹富豪
• 申請（專利權）人: 昱鑫制造股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/54;H01L25/075;H01L21/78;H01L21/268
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種半導體封裝模組的切割方法，其特征在于，包括：

在一基板的一表面上設置復數個半導體芯片；

以一封裝層包覆設置在所述基板的表面的半導體芯片；

將一雷射投射在相鄰兩個所述半導體芯片之間的基板或所述封裝層，并在所述基板或所述封裝層上形成復數個點狀凹陷部；及

對所述基板施力，使得所述基板沿著所述復數個點狀凹陷部裂開，并形成復數個半導體封裝單元。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝模組的切割方法，其特征在于，包括以下步驟：將所述雷射一次或多次投射在所述基板或所述封裝層的相同位置上，并于所述基板或所述封裝層上形成所述復數個點狀凹陷部。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝模組的切割方法，其特征在于，包括以下步驟：依據所述半導體芯片的設置位置，在所述基板的表面定義出復數個切割線，以所述雷射投射在所述切割線上，并沿著所述切割線在所述基板或所述封裝層形成所述復數個點狀凹陷部。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝模組的切割方法，其特征在于，其中所述半導體芯片為發光二極體晶粒、IC芯片或半導體組件。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝模組的切割方法，其特征在于，其中所述封裝層包括至少一封裝體及至少一保護層，所述封裝體為半圓球狀、平面形體、方形體、多邊形體或曲面結構并包覆所述半導體芯片，而所述保護層則位于未設置所述封裝體的所述基板的表面。

6.一種半導體封裝模組的切割方法，其特征在于，包括：

在一基板的一表面上設置復數個半導體芯片；

以一封裝層包覆所述基板表面的所述半導體芯片；

依據所述半導體芯片的設置位置，在所述基板的表面定義出復數個切割線，其中各個所述切割線位于兩個所述半導體芯片之間，且所述各個切割線包括復數個切割區段；

將一雷射依序投射在不相鄰的切割區段的所述基板或所述封裝層，并依序在不相鄰的切割區段的所述基板或所述封裝層上形成復數個切割痕，直到以所述雷射在所有的切割線上形成所述切割痕；及

對所述基板施力，使得所述基板沿著所述切割痕裂開，并形成復數個半導體封裝單元。

7.根據權利要求6所述的半導體封裝模組的切割方法，其特征在于，其中所述切割痕包括復數個點狀凹陷部。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝模組的切割方法，其特征在于，包括以下步驟：將所述雷射一次或多次投射在所述基板或所述封裝層的相同位置上，并于所述基板或所述封裝層上形成所述復數個點狀凹陷部。

9.根據權利要求6所述的半導體封裝模組的切割方法，其特征在于，其中所述半導體芯片為發光二極體晶粒、IC芯片或半導體組件。

10.根據權利要求6所述的半導體封裝模組的切割方法，其特征在于，其中所述封裝層包括至少一封裝體及至少一保護層，所述封裝體為半圓球狀、平面形體、方形體、多邊形體或曲面結構并包覆所述半導體芯片，而所述保護層則位于未設置所述封裝體的所述基板的表面。

11.一種半導體封裝單元，其特征在于，包括：

一基板，包括一上表面、一下表面及復數個側表面，其中所述上表面與所述下表面相對，而所述復數個側表面則環設在所述上表面及所述下表面的周圍；

至少一半導體芯片，位于所述基板的所述上表面；

一封裝層，設置在所述基板的上表面，并包覆所述半導體芯片，并具有復數個側邊；及

一鋸齒狀構造或一圓錐狀構造，包括復數個點狀凹陷部，位于所述基板的至少一所述側表面及所述封裝層的至少一所述側邊。