[發(fā)明專(zhuān)利]薄膜沉積方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711293365.8
• 申請(qǐng)日: 2017-12-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108231538A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙炳哲;李相鎮(zhèn);李仁煥;陳光善
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 圓益IPS股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 北京青松知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11384
• 代理人: 鄭青松

本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜沉積方法包括：提供形成圖案的基板的步驟；表面處理步驟，利用沉積抑制氣體形成沉積抑制層，所述沉積抑制氣體用于抑制在所述圖案上端的薄膜沉積；薄膜沉積步驟，利用工藝氣體在包括所述表面處理的所述圖案上沉積所述薄膜；其中，所述沉積抑制氣體為包括氟的氣體。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置制造方法，更詳細(xì)地說(shuō)涉及薄膜沉積方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體裝置可指在晶片形成的多個(gè)電子元件的組合品。

半導(dǎo)體裝置制造工藝中，薄膜沉積是指在晶片上物理性形成導(dǎo)電性、絕緣性、半導(dǎo)體物質(zhì)等的工藝。

用于沉積薄膜的代表性方法可有ALD(Atomic Layer Deposition，原子層沉積)方法和CVD(Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相沉積)方法。

CVD方法是通過(guò)反應(yīng)兩種氣體來(lái)沉積薄膜的方式，可細(xì)分為L(zhǎng)PCVD(Low PressureCVD，低壓化學(xué)氣相沉積)、PECVD(Plasma Enhanced CVD，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)等。ALD方法是一層一層沉積原子的工藝，可利用于要求細(xì)分化工藝的地方。

另一方面，前體(Precursor)是指在金屬結(jié)合配體的物質(zhì)，隨著半導(dǎo)體工藝的細(xì)分化，正在活躍的使用利用前體的薄膜沉積方式。

但是，目前的實(shí)情是半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)規(guī)則正在持續(xù)減少，同時(shí)正在持續(xù)要求能夠滿(mǎn)足在這一條件下要求的膜特性的薄膜沉積方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜沉積方法包括：提供形成圖案的基板的步驟；表面處理步驟，利用沉積抑制氣體形成沉積抑制層，所述沉積抑制氣體用于抑制在所述圖案上端的薄膜沉積；薄膜沉積步驟，在所述表面處理的所述圖案上利用工藝氣體沉積所述薄膜；其中所述沉積抑制氣體為包含氟的氣體。

附圖說(shuō)明

圖1是用于說(shuō)明一實(shí)施例的薄膜沉積方法的流程圖。

圖2a至2e是用于說(shuō)明一實(shí)施例的薄膜沉積方法的剖面圖。

圖3是用于說(shuō)明一實(shí)施例的薄膜沉積方法的流程圖。

圖4a至圖4b是用于說(shuō)明一實(shí)施例的薄膜沉積方法的剖面圖。

圖5是用于說(shuō)明根據(jù)沉積抑制氣體的分布以及位置而體現(xiàn)出薄膜沉積速度的差異的圖面。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。

圖1是用于說(shuō)明一實(shí)施例的薄膜沉積方法的流程圖；圖2a至2e是用于說(shuō)明一實(shí)施例的薄膜沉積方法的剖面圖。

首先，如圖2a，可向基板沉積腔室內(nèi)提供形成下部結(jié)構(gòu)103的基板101。

在一實(shí)施例中，下部結(jié)構(gòu)103可以是具有通孔、溝槽、接觸孔等縱橫比(Aspectratio)的圖案，在這一情況下，在下部結(jié)構(gòu)103可包括孔105。

為了只在基板101的目標(biāo)部分沉積薄膜，可供應(yīng)沉積抑制氣體(S101)。在供應(yīng)沉積抑制氣體之后可實(shí)施吹掃。

在一實(shí)施例中，若待沉積的薄膜為包含硅(Si)的金屬有機(jī)(Metal Organic；MO)化合物，則沉積抑制氣體可以是包含氟的前體。

對(duì)于包含氟前體，與氟一同可選自在包含氧(O)、碳(C)、氫(H)、氮(N)中的至少一個(gè)的物質(zhì)中。在一實(shí)施例中，包含氟的前體可選自包含NF₃、F₂、CF₄、CHF的群組中，但不限于此。