[發明專利]薄膜沉積方法

在審

• 申請號: 201711293365.8
• 申請日: 2017-12-08
• 公開（公告）號: CN108231538A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 趙炳哲;李相鎮;李仁煥;陳光善
• 申請（專利權）人: 圓益IPS股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京青松知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11384
• 代理人: 鄭青松

1.一種薄膜沉積方法，其特征在于，包括：

提供形成圖案的基板的步驟；

表面處理步驟，利用包含氟的沉積抑制氣體形成沉積抑制層，所述沉積抑制層用于抑制在所述圖案上端的薄膜沉積；以及

薄膜沉積步驟，利用工藝氣體在包括所述表面處理后的所述圖案的所述基板上沉積所述薄膜。

2.根據權利要求1所述的薄膜沉積方法，其特征在于，

所述圖案形成具有縱橫比的形狀，并且包括通孔、溝槽、接觸孔。

3.根據權利要求1所述的薄膜沉積方法，其特征在于，

所述薄膜沉積步驟包括：

吸附步驟，對所述表面處理后的所述圖案上提供所述第一供應氣體，并吸附所述第一工藝氣體；

第一吹掃步驟，吹掃所述第一工藝氣體；

反應步驟，對所述圖案上提供第二工藝氣體以與所述第一工藝氣體反應；以及

第二吹掃步驟，吹掃所述第二工藝氣體。

4.根據權利要求3所述的薄膜沉積方法，其特征在于，

所述第一工藝氣體選自包含硅的金屬有機化合物中。

5.根據權利要求3所述的薄膜沉積方法，其特征在于，

所述第二工藝氣體選自O₂等離子、H₂0、H₂O₂、O₃中。

6.根據權利要求3所述的薄膜沉積方法，其特征在于，

所述第二工藝氣體選自NH₃,N₂中。

7.根據權利要求1所述的薄膜沉積方法，其特征在于，

所述沉積抑制氣體包含所述氟，并且選自還包含氧、碳、氫、氮中的至少一個的物質中。

8.根據權利要求1所述的薄膜沉積方法，其特征在于，

所述沉積抑制氣體選自包含NF₃,F₂,CF₄,CHF的群組中。

9.根據權利要求1所述的薄膜沉積方法，其特征在于，

所述表面處理步驟執行一次，所述薄膜沉積步驟為多次沉積第一薄膜的循環沉積步驟；

所述表面處理步驟以及所述循環沉積步驟執行多次。

10.根據權利要求1所述的薄膜沉積方法，其特征在于，還包括：

還原步驟，在所述循環沉積步驟之后清除所述沉積抑制層；以及

第二循環沉積步驟，在清除所述沉積抑制層的整體結構上部多次沉積第二薄膜；

所述表面處理步驟執行一次，所述薄膜沉積步驟為多次沉積第一薄膜的第一循環沉積步驟。

11.根據權利要求10所述的薄膜沉積方法，其特征在于，

所述還原步驟利用包含羥基的還原劑執行，所述羥基為-OH。

12.根據權利要求10所述的薄膜沉積方法，其特征在于，

所述還原步驟包括利用氬的等離子處理步驟。

13.根據權利要求10所述的薄膜沉積方法，其特征在于，

所述第二薄膜由與所述第一薄膜相同的物質或者不同的物質構成。