[發明專利]用于激光刻印的方法在審
| 申請號: | 201711291088.7 | 申請日: | 2017-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN109755121A | 公開(公告)日: | 2019-05-14 |
| 發明(設計)人: | 房蕓頡;曾生斗;宋政宏;楊松樺 | 申請(專利權)人: | 力成科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 賈磊;郭曉宇 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光路徑 測試物質 激光刻印 異常區域 激光 激光參數 基底 | ||
一種用于激光刻印的方法,包含下列步驟:于一基底上形成一測試物質;以一激光于測試物質上形成一激光路徑;判斷一第一狀況與一第二狀況的至少其中之一是否發生,其中第一狀況為激光路徑上的一異常區域的顏色不同于激光路徑的顏色,且第二狀況為異常區域的寬度大于激光路徑的寬度;以及當第一狀況與第二狀況的至少其中之一發生時,調整激光的至少一激光參數,以防止第一狀況與第二狀況的至少其中之一發生。
技術領域
本發明關于一種用于激光刻印的方法,尤指一種通過形成于基底上的測試物質來最佳化激光刻印的方法。
背景技術
產品信息(例如,公司名稱、序號或其它信息)可通過于芯片上形成標記來提供。對于利用晶片級封裝技術制造而成的芯片來說,通常利用激光刻印來形成上述的標記。一般而言,芯片包含保護層,且標記由激光形成于保護層上,其中保護層用以隔絕激光所產生的能量,以防止芯片被激光損壞。然而,由于芯片的尺寸逐漸小型化,保護層也變得愈來愈薄。因此,激光所產生的能量便有可能在激光刻印的過程中損壞芯片。于先前技術中,激光參數僅根據形成于保護層上的標記的深度與外觀來進行調整,因此,無論激光參數如何調整,先前技術都無法確保激光是否會損壞芯片。
發明內容
本發明提供一種通過形成于基底上的測試物質來最佳化激光刻印的方法,以解決上述問題。
根據一實施例,本發明的用于激光刻印的方法包含下列步驟:于一基底上形成一測試物質;以一激光于測試物質上形成一激光路徑;判斷一第一狀況與一第二狀況的至少其中之一是否發生,其中第一狀況為激光路徑上的一異常區域的顏色不同于激光路徑的顏色,且第二狀況為異常區域的寬度大于激光路徑的寬度;以及當第一狀況與第二狀況的至少其中之一發生時,調整激光的至少一激光參數,以防止第一狀況與第二狀況的至少其中之一發生。
根據另一實施例,本發明的用于激光刻印的方法包含下列步驟:于一基底上形成一測試物質;于測試物質上形成一保護層;以一激光于保護層上形成一激光標記;將保護層自測試物質上移除;判斷測試物質上是否存在不同顏色;以及當測試物質上存在不同顏色時,判斷保護層不足以隔絕激光所產生的能量。
綜上所述,本發明利用測試物質來觀察激光刻印過程中激光所產生的能量,以根據發生于測試物質上的狀況來調整激光參數。此外,除了調整激光參數外,本發明亦可利用測試物質來判斷保護層是否足以隔絕激光所產生的能量。當保護層不足以隔絕激光所產生的能量時,本發明可調整保護層的厚度、材料、特性等,以使保護層足以隔絕激光所產生的能量。藉此,在調整激光參數及/或保護層后,本發明即可確保激光于激光刻印過程中不會損壞芯片。
關于本發明的優點與精神可以通過以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的了解。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動性的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為根據本發明一實施例的用于激光刻印的方法的流程圖。
圖2為測試物質形成于基底上的示意圖。
圖3為圖2中的測試物質于調整激光的激光參數前的俯視圖。
圖4為圖2中的測試物質于調整激光的激光參數后的俯視圖。
圖5為根據本發明另一實施例的用于激光刻印的方法的流程圖。
圖6為測試物質形成于基底上且保護層形成于測試物質上的示意圖。
圖7為圖6中的保護層的俯視圖。
圖8為圖6中的測試物質的俯視圖。
附圖標號:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





