[發明專利]用于激光刻印的方法在審
| 申請號: | 201711291088.7 | 申請日: | 2017-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN109755121A | 公開(公告)日: | 2019-05-14 |
| 發明(設計)人: | 房蕓頡;曾生斗;宋政宏;楊松樺 | 申請(專利權)人: | 力成科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 賈磊;郭曉宇 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光路徑 測試物質 激光刻印 異常區域 激光 激光參數 基底 | ||
1.一種用于激光刻印的方法,其特征在于,包含下列步驟:
于一基底上形成一測試物質;
以一激光于該測試物質上形成一激光路徑;
判斷一第一狀況與一第二狀況的至少其中之一是否發生,其中該第一狀況為該激光路徑上的一異常區域的顏色不同于該激光路徑的顏色,且該第二狀況為該異常區域的寬度大于該激光路徑的寬度;以及
當該第一狀況與該第二狀況的至少其中之一發生時,調整該激光的至少一激光參數,以防止該第一狀況與該第二狀況的至少其中之一發生。
2.如權利要求1所述的用于激光刻印的方法,其特征在于,該異常區域形成于該激光路徑的一起始位置,該至少一激光參數包含該激光的一首發脈沖抑制,該用于激光刻印的方法另包含下列步驟:
當該第一狀況與該第二狀況的至少其中之一發生于該起始位置時,增加該激光的該首發脈沖抑制。
3.如權利要求2所述的用于激光刻印的方法,其特征在于,該至少一激光參數另包含該激光的一功率,該用于激光刻印的方法另包含下列步驟:
當調整該激光的該首發脈沖抑制達一預定次數后,該第一狀況與該第二狀況的至少其中之一仍然發生于該起始位置時,減少該激光的該功率。
4.如權利要求3所述的用于激光刻印的方法,其特征在于,該至少一激光參數另包含該激光的一頻率,該用于激光刻印的方法另包含下列步驟:
當調整該激光的該功率達一預定次數后,該第一狀況與該第二狀況的至少其中之一仍然發生于該起始位置時,增加該激光的該頻率。
5.如權利要求1所述的用于激光刻印的方法,其特征在于,該異常區域形成于該激光路徑的一轉角位置,該至少一激光參數另包含該激光于該轉角位置的一停留時間,該用于激光刻印的方法另包含下列步驟:
當該第一狀況與該第二狀況的至少其中之一發生于該轉角位置時,減少該激光于該轉角位置的該停留時間。
6.如權利要求1所述的用于激光刻印的方法,其特征在于,另包含下列步驟:
當該異常區域的寬度大于該激光路徑的寬度的3/2倍時,判斷該第二狀況發生。
7.如權利要求1所述的用于激光刻印的方法,其特征在于,該測試物質的熔點介于150℃與670℃之間。
8.如權利要求1所述的用于激光刻印的方法,其特征在于,于一基底上形成一測試物質的步驟另包含下列步驟:
于該基底上形成一中介層;以及
于該中介層上形成該測試物質。
9.如權利要求1所述的用于激光刻印的方法,其特征在于,另包含下列步驟:
于該測試物質上形成一保護層;
以該激光于該保護層上形成一激光標記;
將該保護層自該測試物質上移除;
判斷該測試物質上是否存在不同顏色;以及
當該測試物質上存在不同顏色時,判斷該保護層不足以隔絕該激光所產生的能量。
10.如權利要求9所述的用于激光刻印的方法,其特征在于,該保護層的材料為成型模料或橡膠。
11.一種用于激光刻印的方法,其特征在于,包含下列步驟:
于一基底上形成一測試物質;
于該測試物質上形成一保護層;
以一激光于該保護層上形成一激光標記;
將該保護層自該測試物質上移除;
判斷該測試物質上是否存在不同顏色;以及
當該測試物質上存在不同顏色時,判斷該保護層不足以隔絕該激光所產生的能量。
12.如權利要求11所述的用于激光刻印的方法,其特征在于,該測試物質的熔點介于150℃與670℃之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





