[發(fā)明專(zhuān)利]一種單面拋光機(jī)大盤(pán)的修盤(pán)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711290242.9 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109894975B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-07-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林霖;史訓(xùn)達(dá);劉云霞;吳迪;楊少坤;李奇 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 有研半導(dǎo)體材料有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | B24B53/00 | 分類(lèi)號(hào): | B24B53/00 |
| 代理公司: | 北京北新智誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100 | 代理人: | 劉秀青 |
| 地址: | 101300 北京*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 單面 拋光機(jī) 大盤(pán) 方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種單面拋光機(jī)大盤(pán)的修盤(pán)方法。該方法包括以下步驟:(1)制備磨砂液;(2)將兩個(gè)圓形鑄鐵磨盤(pán)置于拋光機(jī)大盤(pán)上,并通過(guò)兩個(gè)連接桿連接到固定支撐架上,鑄鐵磨盤(pán)可以繞著連接桿旋轉(zhuǎn);將漿料桶中的磨砂液均勻輸送到拋光機(jī)大盤(pán)表面;研磨直到大盤(pán)直徑方向磨平為止;(3)卸下兩個(gè)圓形鑄鐵磨盤(pán)和固定支撐架,將兩個(gè)齒輪型鑄鐵修整工具置于拋光機(jī)大盤(pán)上,并將壓力頭分別套入兩個(gè)齒輪型鑄鐵修整工具的內(nèi)徑,兩個(gè)鑄鐵修整工具在拋光機(jī)大盤(pán)上呈對(duì)稱(chēng)放置;將漿料桶中的磨砂液均勻輸送到拋光機(jī)大盤(pán)表面;研磨直到大盤(pán)半徑方向磨平為止。本發(fā)明的方法可以修平拋光機(jī)大盤(pán),還可以修成希望得到的大盤(pán)微觀形貌,可操作性強(qiáng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種單面拋光機(jī)大盤(pán)的修盤(pán)方法。
背景技術(shù)
化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是一個(gè)化學(xué)腐蝕和機(jī)械摩擦作用交替進(jìn)行的過(guò)程,該方法既可以獲得較完美的表面,又可以得到較高的拋光速率,已經(jīng)基本取代了傳統(tǒng)的多種技術(shù),目前被公認(rèn)為是超大規(guī)模集成電路最好的材料全局平坦化方法。
隨著拋光機(jī)的日漸磨損,拋光機(jī)大盤(pán)的平整度也會(huì)逐漸變差,導(dǎo)致拋光出來(lái)的硅片的幾何形貌隨之變差。而隨著集成電路的線(xiàn)寬越來(lái)越窄,下游廠(chǎng)商對(duì)硅襯底的幾何形貌要求也日趨嚴(yán)格,導(dǎo)致使用了幾年的拋光機(jī)越來(lái)越不能滿(mǎn)足下游廠(chǎng)商對(duì)硅片幾何形貌的新要求。
而且由于主流拋光機(jī)的大盤(pán)大部分都是鑄鐵材質(zhì),在拋光過(guò)程中,隨著拋光工藝溫度的變化,大盤(pán)的平整度也會(huì)隨之發(fā)生變化,增加了硅片拋光過(guò)程中幾何形貌控制的變量。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種單面拋光機(jī)大盤(pán)的修盤(pán)方法,通過(guò)該方法不僅可以修平拋光機(jī)大盤(pán),而且還可以修成希望得到的大盤(pán)微觀形貌,以彌補(bǔ)拋光過(guò)程升溫給盤(pán)面帶來(lái)的平整度變化。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種單面拋光機(jī)大盤(pán)的修盤(pán)方法,該方法包括以下步驟:
(1)將磨砂和水按照磨砂∶水=1∶(3~20)的體積百分比,在漿料桶中混合攪拌,待磨砂液攪拌均勻后,按照懸浮劑∶磨砂液=1∶(20~60)的體積比加入懸浮劑,攪拌均勻;
(2)將兩個(gè)圓形鑄鐵磨盤(pán)置于拋光機(jī)大盤(pán)上,并通過(guò)兩個(gè)連接桿連接到固定支撐架上,鑄鐵磨盤(pán)可以繞著連接桿旋轉(zhuǎn);將拋光機(jī)大盤(pán)轉(zhuǎn)速設(shè)置為20~50rpm,將漿料桶中的磨砂液均勻輸送到拋光機(jī)大盤(pán)表面;研磨1~12小時(shí)后停止研磨,停機(jī)檢查大盤(pán)直徑方向的平整度,若不夠平整,則繼續(xù)研磨,直到大盤(pán)直徑方向磨平為止;
(3)卸下兩個(gè)圓形鑄鐵磨盤(pán)和固定支撐架,將兩個(gè)齒輪型鑄鐵修整工具置于拋光機(jī)大盤(pán)上,并將壓力頭分別套入兩個(gè)齒輪型鑄鐵修整工具的內(nèi)徑,兩個(gè)鑄鐵修整工具在拋光機(jī)大盤(pán)上呈對(duì)稱(chēng)放置;將壓力頭的下壓強(qiáng)度調(diào)整到50~300g/cm2,拋光機(jī)大盤(pán)轉(zhuǎn)速設(shè)置為20~50rpm,壓力頭轉(zhuǎn)速設(shè)置為20~50RPM,啟動(dòng)蠕動(dòng)泵,將漿料桶中的磨砂液均勻輸送到拋光機(jī)大盤(pán)表面;研磨1~12小時(shí)后停止研磨,停機(jī)檢查大盤(pán)半徑方向的平整度,若不夠平整,則繼續(xù)研磨,直到大盤(pán)半徑方向磨平為止。
優(yōu)選地,所述磨砂選用粒徑在10~100μm的碳化硅或三氧化二鋁材質(zhì)的磨砂。
優(yōu)選地,所述鑄鐵磨盤(pán)直徑為650~750mm,厚度為5~20cm。
優(yōu)選地,所述齒輪型鑄鐵修整工具的內(nèi)徑與壓力頭直徑相同,所述齒輪型鑄鐵修整工具的外徑為φ600~650mm。
所述壓力頭的旋轉(zhuǎn)方向可以與大盤(pán)旋轉(zhuǎn)方向相同,也可以相反。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的修盤(pán)方法不僅可以將單面拋光機(jī)大盤(pán)修平,而且還可以根據(jù)各廠(chǎng)的CMP工藝要求,將單面拋光機(jī)的半徑方向修成微凸或微凹,并且也可以將直徑方向修成微凸或微凹,以彌補(bǔ)拋光過(guò)程升溫給盤(pán)面帶來(lái)的平整度變化。而且本發(fā)明的修盤(pán)方法具有很強(qiáng)的可操作性。
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