[發明專利]凹陷缺陷的檢測方法以及用于檢測凹陷缺陷的晶圓

有效

• 申請號: 201711288821.X
• 申請日: 2017-12-07
• 公開（公告）號: CN108010863B
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發明（設計）人: 馮巍;董思遠;郭萬里
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01N21/95
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

本發明提供一種凹陷缺陷的檢測方法以及用于檢測凹陷缺陷的晶圓，所述凹陷缺陷的檢測方法包括：提供一晶圓，在所述晶圓上形成覆蓋層，所述覆蓋層的厚度在以上；去除所述覆蓋層后，檢測所述晶圓上的凹陷缺陷。本發明提供的凹陷缺陷的檢測方法以及用于檢測凹陷缺陷的晶圓中，通過在晶圓上形成覆蓋層，使覆蓋層的厚度在以上，在去除覆蓋層時，可使得晶圓上具有的凹陷缺陷的尺寸增大，從而可方便的被晶圓檢測設備檢測出來，從而進行及時有效監控缺陷的發生，減少因此而造成的損失。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及凹陷缺陷的檢測方法以及用于檢測凹陷缺陷的晶圓。

背景技術

隨著半導體產品器件尺寸的微縮以及制造技術的進步，越來越多的微小缺陷都將對半導體產品的良率產生巨大影響，可能嚴重影響形成的半導體器件的功能，從而造成良率缺失。為提高半導體器件的良率，在制造過程中，通常設有多道檢測工序，以在制造過程中及時發現缺陷，并及時改進工藝，使得后續的晶圓的良率得以提高。

目前的晶圓檢測設備可采用檢測光束掃描待測晶圓表面，對晶圓表面反射回的光束進行處理獲得晶圓表面的凹陷缺陷數據。在對凹陷缺陷等進行檢測時，晶圓檢測設備都有一定的測量范圍，在晶圓上凹陷缺陷的尺寸過小時，晶圓檢測設備很難捕捉到凹陷缺陷，從而容易造成批量的晶圓因缺陷而報廢，造成大量損失。

因此，如何提供一種凹陷缺陷的檢測方法以及用于檢測凹陷缺陷的晶圓來解決晶圓上的凹陷不方便檢測的問題是本領域技術人員亟待解決的一個技術問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種凹陷缺陷的檢測方法以及用于檢測凹陷缺陷的晶圓，解決晶圓上的凹陷不方便檢測的問題。

為了解決上述問題，本發明提供一種凹陷缺陷的檢測方法，所述凹陷缺陷的檢測方法包括：提供一晶圓，在所述晶圓上形成覆蓋層，所述覆蓋層的厚度在以上；去除所述覆蓋層后，檢測所述晶圓上的凹陷缺陷。

可選的，在所述凹陷缺陷的檢測方法中，所述覆蓋層的材料包含氧化硅和/或氮化硅。

可選的，在所述凹陷缺陷的檢測方法中，所述凹陷缺陷位于所述晶圓上的有源區域。

可選的，在所述凹陷缺陷的檢測方法中,去除所述覆蓋層后，所述凹陷缺陷的尺寸大于

可選的,在所述凹陷缺陷的檢測方法中，在所述晶圓的表面形成所述覆蓋層前，對所述晶圓進行清潔工藝。

可選的，在所述凹陷缺陷的檢測方法中，在去除所述覆蓋層前，對所述晶圓進行刻蝕工藝。

可選的，在所述凹陷缺陷的檢測方法中，所述晶圓包括單晶硅基底。

本發明還提供一種用于檢測凹陷缺陷的晶圓,所述用于檢測凹陷的晶圓包括基底和形成于所述基底上的覆蓋層,所述覆蓋層的厚度在以上,所述基底上的凹陷缺陷被所述覆蓋層覆蓋。

在選的,在所述用于檢測凹陷缺陷的晶圓中,所述覆蓋層的材料包含氧化硅和/或氮化硅。

在選的,在所述用于檢測凹陷缺陷的晶圓中,所述凹陷缺陷位于晶圓上的有源區域。

本發明提供的凹陷缺陷的檢測方法以及用于檢測凹陷缺陷的晶圓中，通過在晶圓上形成覆蓋層，使覆蓋層的厚度在以上，在去除覆蓋層時，可使得晶圓上具有的凹陷缺陷的尺寸增大，從而可方便的被晶圓檢測設備檢測出來，從而進行及時有效監控缺陷的發生，減少因此而造成的損失。

附圖說明

圖1為本發明實施例的凹陷缺陷的檢測方法的流程圖；

圖2-5為本發明實施例具有凹陷缺陷的晶圓的剖面結構示意圖。

具體實施方式