[發明專利]凹陷缺陷的檢測方法以及用于檢測凹陷缺陷的晶圓

有效

• 申請號: 201711288821.X
• 申請日: 2017-12-07
• 公開（公告）號: CN108010863B
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發明（設計）人: 馮巍;董思遠;郭萬里
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01N21/95
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種凹陷缺陷的檢測方法，其特征在于，所述凹陷缺陷的檢測方法包括：

提供一晶圓，在所述晶圓上形成覆蓋層，所述覆蓋層的材料包含氧化硅和/或氮化硅，所述覆蓋層的厚度在以上；

對所述晶圓進行刻蝕工藝，形成圖案，使進行刻蝕工藝的圖案位置不存在凹陷缺陷；

對所述晶圓進行刻蝕工藝后去除所述覆蓋層；

檢測所述晶圓上的凹陷缺陷，所述凹陷缺陷的尺寸大于

2.如權利要求1所述凹陷缺陷的檢測方法，其特征在于，所述凹陷缺陷位于所述晶圓上的有源區域。

3.如權利要求1－2中任意一項所述凹陷缺陷的檢測方法，其特征在于，在所述晶圓的表面形成所述覆蓋層前，對所述晶圓進行清潔工藝。

4.如權利要求1－2中任意一項所述凹陷缺陷的檢測方法，其特征在于，所述晶圓包括單晶硅基底。

5.一種用于檢測凹陷缺陷的晶圓，其特征在于，所述用于檢測凹陷缺陷的晶圓包括基底和形成于所述基底上的覆蓋層，所述覆蓋層的材料包含氧化硅和/或氮化硅，所述覆蓋層的厚度在以上，所述基底上的凹陷缺陷被所述覆蓋層覆蓋，所述凹陷缺陷的尺寸大于所述晶圓上形成有至少貫穿所述覆蓋層的圖案，以使所述晶圓在圖案位置不存在凹陷缺陷。

6.如權利要求5中所述用于檢測凹陷缺陷的晶圓，其特征在于，所述凹陷缺陷位于晶圓上的有源區域。