[發明專利]使用有機發光二極管的照明設備有效
| 申請號: | 201711285270.1 | 申請日: | 2017-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN108172598B | 公開(公告)日: | 2022-03-15 |
| 發明(設計)人: | 李臣馥;宋泰俊;金南國 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 使用 有機 發光二極管 照明設備 | ||
根據本公開的一種使用有機發光二極管的照明設備,該照明設備被配置為使得通過在陰極上形成抗刮擦層以完全覆蓋陰極而使基板平整。具有這種配置的本公開即使在為了脈沖老化而卷繞或展開基板時也能夠利用抗刮擦層來均勻地保持按壓壓力,從而防止由于刮擦或顆粒而導致的損壞。
技術領域
本公開涉及顯示裝置,更具體地,涉及一種照明設備,且更具體地,涉及一種使用有機發光二極管的照明設備。
背景技術
當前,熒光燈或白熾燈主要用作照明設備。在這些照明設備中,白熾燈具有良好的顯色指數(CRI),但是具有較低的能量效率。熒光燈效率高,但是顯色指數差。此外,熒光燈含有汞,從而引發環境問題。
CRI是表示顯色性的指數。CRI是指示在將物體被特定光源照射的情況與物體被參考光源照射的情況進行比較時,色調相對于由光源照射的物體的顏色的相似程度的指數。太陽光的CRI是100。
為了解決常規照明設備的問題,近來,已提出將發光二極管(LED)作為照明設備。LED由無機發光材料制成。LED在藍色波長帶中呈現出最高的發光效率,并且具有朝向紅色波長帶和綠色波長帶逐漸降低的發光效率。因此,當通過將紅色發光二極管、綠色發光二極管和藍色發光二極管進行組合來發射白光時,發光效率明顯降低。
作為替代,目前開發出使用有機發光二極管(OLED)的照明設備。使用有機發光二極管的普通照明設備以如下方式被制造:在玻璃基板上形成由ITO制成的陽極,在陽極上形成有機發光層和陰極,以及將鈍化層和層壓膜附接于其上。
其中,沉積有機發光層和電極的工序在高真空環境下執行,因此需要與要沉積的薄膜的數目一樣多的用于保持高真空的沉積腔室。
此外,必須執行脈沖老化(以下稱為p老化)以防止設置有有機發光層和電極的有機發光二極管的缺陷。這是通過向有機發光二極管施加老化電壓以使電極氧化來防止這種缺陷。這種p老化在大氣壓(即,空氣環境)下進行以使電極氧化。此時,執行基板的卷繞和展開以將基板移動到p老化腔室。在該工藝期間,可能對有機發光二極管的暴露表面造成損壞,例如,被刮擦等。這是因為具有小厚度的陰極不足以保護有機發光層,并且當基板與導向輥接觸時或當基板被卷繞時,在基板上形成劃痕的風險很高。例如,如果在卷繞基板或者通過沿垂直方向施加壓力來附接金屬膜時在金屬膜下方存在顆粒,則會由于所施加的壓力而導致對與顆粒接觸的有機發光二極管造成損壞。
發明內容
因此,為了消除這些問題和其它缺點,詳細描述的一個方面在于提供一種使用有機發光二極管的照明設備,其能夠防止在脈沖老化(p老化)之后由于刮擦(scratch)和顆粒造成的損壞。
將在本公開的以下配置和權利要求中描述本公開的其它方面和特征。
為了實現這些和其它優點并根據本說明書的目的,如本文實施并廣泛描述地,提供了一種使用有機發光二極管的照明設備,該照明設備包括:基板,該基板被劃分成發光部以及第一接觸部和第二接觸部;有機發光層和第二電極,該有機發光層和該第二電極位于其上具有第一鈍化層的所述基板的所述發光部上;以及第二鈍化層,該第二鈍化層被構造為覆蓋所述有機發光層和所述第二電極并且使所述基板的表面平整。
在本文所公開的一個方面中,提供了一種使用有機發光二極管的照明設備,該照明設備包括:基板,該基板具有發光部以及第一接觸部和第二接觸部;輔助電極,該輔助電極位于所述基板上的所述發光部處并且用作附加接觸電極;第一電極,該第一電極位于包括所述輔助電極的所述基板上;鈍化層,該鈍化層位于包括所述第一電極的所述基板上;有機發光層、第二電極和抗刮擦層,該有機發光層、該第二電極和該抗刮擦層位于包括所述鈍化層的所述基板的整個表面上;以及封裝層,該封裝層圍繞所述抗刮擦層并且被設置在所述鈍化層上。
在本文所公開的一個方面中,該照明設備還可包括:第一電極,該第一電極位于所述基板上;第一鈍化層,該第一鈍化層位于所述第一電極上;以及金屬膜,該金屬膜位于所述基板的所述發光部上以覆蓋所述第二鈍化層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





