[發(fā)明專利]使用有機發(fā)光二極管的照明設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711285270.1 | 申請日: | 2017-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN108172598B | 公開(公告)日: | 2022-03-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李臣馥;宋泰俊;金南國 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 使用 有機 發(fā)光二極管 照明設備 | ||
1.一種使用有機發(fā)光二極管的照明設備,該照明設備包括:
基板,該基板具有發(fā)光部以及第一接觸部和第二接觸部;
第一電極,該第一電極位于所述基板上,其中,所述第一電極延伸至所述第一接觸部以成為第一接觸電極;
第一鈍化層,該第一鈍化層位于所述第一電極上;
有機發(fā)光層和第二電極,所述有機發(fā)光層和所述第二電極位于所述發(fā)光部處并且覆蓋所述第一鈍化層;
第二鈍化層,該第二鈍化層覆蓋所述有機發(fā)光層和所述第二電極兩者并且使所述發(fā)光部的所述基板平整;
金屬膜,該金屬膜位于所述發(fā)光部處并且覆蓋所述第二鈍化層;以及
第二接觸電極,該第二接觸電極位于所述發(fā)光部和所述第二接觸部兩者處,
其中,包括所述第一接觸電極的所述第一電極具有在所述第一電極的上部和下部中的至少一個的中央部處具有凹部的矩形形狀,并且所述第二接觸電極被設置在所述凹部內。
2.根據(jù)權利要求1所述的照明設備,其中,所述第一接觸部和所述第二接觸部按照所述第一接觸部位于所述發(fā)光部的左側和右側中的至少一側的方式而位于所述發(fā)光部外側。
3.根據(jù)權利要求2所述的照明設備,其中,所述第二接觸電極由與所述第一電極相同的導電材料制成。
4.根據(jù)權利要求3所述的照明設備,其中,所述第一鈍化層具有用于暴露出所述第二接觸電極的在所述發(fā)光部處的一部分的接觸孔。
5.根據(jù)權利要求4所述的照明設備,其中,所述第二電極通過所述接觸孔電連接至所述第二接觸電極。
6.根據(jù)權利要求1所述的照明設備,其中,所述第二鈍化層被形成為具有至少達到所述第二電極的高度的高度,以便填充所述第二電極的外圍以用于使所述第二電極平整。
7.根據(jù)權利要求1所述的照明設備,其中,所述第二鈍化層由光壓克力的有機材料或透氣性無機材料制成。
8.根據(jù)權利要求1所述的照明設備,該照明設備還包括:第三鈍化層,該第三鈍化層由無機材料制成且覆蓋所述第二鈍化層。
9.一種使用有機發(fā)光二極管的照明設備,該照明設備包括:
基板,該基板具有發(fā)光部以及第一接觸部和第二接觸部;
輔助電極,該輔助電極位于所述基板上的所述發(fā)光部處并且用作附加接觸電極;
第一電極,該第一電極位于包括所述輔助電極的所述基板上;
鈍化層,該鈍化層位于包括所述第一電極的所述基板上;
有機發(fā)光層、第二電極和抗刮擦層,所述有機發(fā)光層、所述第二電極和所述抗刮擦層位于包括所述鈍化層的所述基板的在所述發(fā)光部中的整個表面上;
封裝層,該封裝層圍繞所述抗刮擦層并且被設置在所述鈍化層上;以及
第二接觸電極,該第二接觸電極位于所述發(fā)光部和所述第二接觸部兩者處并且由與所述第一電極相同的導電材料制成。
10.根據(jù)權利要求9所述的照明設備,其中,所述第一接觸部和所述第二接觸部位于所述發(fā)光部外側。
11.根據(jù)權利要求9所述的照明設備,其中,所述第一電極延伸至所述第一接觸部以成為第一接觸電極。
12.根據(jù)權利要求9所述的照明設備,其中,所述鈍化層具有用于暴露出所述第二接觸電極的在所述發(fā)光部處的一部分的接觸孔。
13.根據(jù)權利要求12所述的照明設備,其中,所述第二電極通過所述接觸孔電連接至所述第二接觸電極。
14.根據(jù)權利要求9所述的照明設備,其中,所述抗刮擦層被形成為具有至少達到所述第二電極的高度的高度,以便使所述第二電極的表面平整。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





