[發(fā)明專利]載置臺和等離子體處理裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711284031.4
• 申請日: 2017-12-07
• 公開（公告）號: CN108183058B
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發(fā)明（設計）人: 上田雄大
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01J37/20
• 分類號: H01J37/20;H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

本發(fā)明提供一種載置臺，其削減妨礙從聚焦環(huán)向基座導熱的孔以改善聚焦環(huán)的溫度不均。載置臺包括：用于載置被處理體的基座；以包圍載置被處理體的區(qū)域的方式設置于基座上的聚焦環(huán)；形成有貫通孔的連結(jié)部件，其被插入在基座上的與聚焦環(huán)的下部對應的區(qū)域形成的插入孔，將基座與基座的下方的部件連結(jié)；和升降銷，其被插入連結(jié)部件的貫通孔以從插入孔可突出的方式設置在基座，從插入孔突出而使聚焦環(huán)上升。

技術領域

本發(fā)明的各種方面和實施方式涉及載置臺和等離子處理裝置。

背景技術

進行成膜或者蝕刻等的等離子體處理的等離子體處理裝置在容器內(nèi)部配置的載置臺載置被處理體。載置臺例如具有基座和聚焦環(huán)等。基座具有用于載置被處理體的區(qū)域。聚焦環(huán)包圍載置被處理體的區(qū)域地設置在基座上。通過包圍載置被處理體的區(qū)域地將聚焦環(huán)設置在基座上，能夠改善在被處理體的邊緣部附近的等離子體分布的均勻性。

但是，在使用等離子體的蝕刻的過程中，聚焦環(huán)與被處理體一同慢慢被削去。聚焦環(huán)被削去時，在被處理體的邊緣部的等離子體分布的均勻性就會降低。由此，在被處理體的邊緣部，存在蝕刻率變化、器件的特性劣化的情況。因此，為了抑制等離子體分布的均勻性的降低，維持聚焦環(huán)的高度是重要的。

作為維持聚焦環(huán)的高度的技術，已知測定聚焦環(huán)的消耗量，根據(jù)該測定結(jié)果，使聚焦環(huán)上升的技術。另外，作為使聚焦環(huán)上升的技術，已知如下技術：將升降銷可進退地插入在基座上的與聚焦環(huán)的下部對應的區(qū)域形成的貫通孔，使升降銷伸出以使聚焦環(huán)上升。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特許第3388228號公報

專利文獻2：日本特開2007-258417號公報

專利文獻3：日本特開2011-54933號公報

專利文獻4：日本特開2016-146472號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明想要解決的技術問題

然而，在基座上的與聚焦環(huán)的下部對應的區(qū)域，有時彼此獨立地設置有升降銷用的貫通孔和插入螺釘部件的插入孔。將螺釘部件插入插入孔而將基座與基座下方的部件連結(jié)。升降銷的貫通孔和螺釘部件用的插入孔是與基座相比熱傳導率低的空間。因此，在基座上的與聚焦環(huán)的下部對應的區(qū)域彼此獨立地設置升降銷用的貫通孔和螺釘部件用的插入孔時，通過升降銷用的貫通孔和螺釘部件用的插入孔這兩者，能夠妨礙從聚焦環(huán)向基座導熱。由此，在聚焦環(huán)中與升降銷用的貫通孔和螺釘部件用的插入孔對應的部分，產(chǎn)生局部溫度奇點，導致聚焦環(huán)的溫度的均勻性降低。

在此，已知：當聚焦環(huán)的溫度的均勻性降低時，在使用等離子體的蝕刻的過程中聚焦環(huán)的消耗量的均勻性降低，導致被處理體的邊緣部的蝕刻率變化。因此，從維持被處理體的邊緣部的蝕刻率的觀點出發(fā)，優(yōu)選聚焦環(huán)的溫度是均勻的。因此，能夠削減妨礙從聚焦環(huán)向基座導熱的孔，以改善聚焦環(huán)的溫度不均。

用于解決技術問題的技術方案

在公開的載置臺在一個實施方式中，包括：用于載置被處理體的基座；以包圍載置上述被處理體的區(qū)域的方式設置于所述基座上的聚焦環(huán)；形成有貫通孔的連結(jié)部件，其被插入在所述基座上的與所述聚焦環(huán)的下部對應的區(qū)域形成的插入孔，將所述基座與所述基座的下方的部件連結(jié)；和升降銷，其被插入所述連結(jié)部件的所述貫通孔以從所述插入孔可突出的方式設置在所述基座，從所述插入孔突出而使所述聚焦環(huán)上升。

發(fā)明效果

根據(jù)所公開的載置臺的一個方式，能夠起到削減妨礙從聚焦環(huán)向基座導熱的孔而改善聚焦環(huán)的溫度不均的效果。

附圖說明

圖1是表示第一實施方式中的等離子體處理裝置的概要構成的縱斷面圖。