[發明專利]一種低應力氮化鋁晶體的生長方法有效
| 申請號： | 201711284009.X | 申請日： | 2017-12-07 |
| 公開（公告）號： | CN107904661B | 公開（公告）日： | 2021-04-27 |
| 發明（設計）人： | 楊麗雯;程章勇;劉欣宇 | 申請（專利權）人： | 北京華進創威電子有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/40 | 分類號： | C30B29/40;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司 11003 | 代理人： | 張宇鋒 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 應力 氮化 晶體 生長 方法 | ||
1.一種低應力氮化鋁晶體的生長方法，其特征在于，所述生長方法包括如下步驟：
1）在氮化鋁晶體的生長初期，將生長環境抽真空，并充入氮氣，直至生長環境內氣壓達到第一設定壓力，并以 20℃/h-40℃/h 的升溫速率升到第一設定溫度，并保溫半小時；
2）在氮化鋁晶體的生長中期，十分鐘內將生長環境內的氣壓降到第二設定壓力，并且在兩小時內將溫度逐步升高為第二設定溫度，生長時間 8-15 小時；
3）在氮化鋁晶體的生長后期，升高堝位，提高籽晶表面徑向梯度，增加料源到籽晶軸向溫度梯度，將生長環境內氣壓升高壓力至第三設定壓力；并在 20分鐘內將生長環境內的溫度升高到第三設定溫度，保持 4 小時；
4）在氮化鋁晶體的生長末期，以 40℃/h 的速度緩慢降溫，所述第三設定壓力為95KPa，95KPa 壓力下將生長環境內的溫度降到氮化鋁料源的分解溫度 1850℃，保持半小時；
5）在 95KPa 壓力下再次升溫，將生長環境內的溫度升高至第四設定溫度；
6）在 95KPa 壓力下以 30℃/h 速率緩慢降溫到 1000℃，自然冷卻，開爐，測試表征。
2.根據權利要求 1 所述的低應力氮化鋁晶體的生長方法，其特征在于，所述第一設定壓力為 40KPa。
3.根據權利要求 1 所述的低應力氮化鋁晶體的生長方法，其特征在于，所述第一設定溫度為 1900℃。
4.根據權利要求 1 所述的低應力氮化鋁晶體的生長方法，其特征在于，所述第二設定壓力為 20KPa。
5.根據權利要求 1 所述的低應力氮化鋁晶體的生長方法，其特征在于，所述第二設定溫度為 1930-1940℃。
6.根據權利要求 1 所述的低應力氮化鋁晶體的生長方法，其特征在于，所述第三設定溫度為 2000℃。
7.根據權利要求 1 所述的低應力氮化鋁晶體的生長方法，其特征在于，所述第四設定溫度為 2000℃。
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