[發明專利]用于制造半導體裝置的設備在審
| 申請號: | 201711281205.1 | 申請日: | 2017-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN107958861A | 公開(公告)日: | 2018-04-24 |
| 發明(設計)人: | 胡廣嚴;吳龍江;林宗賢 | 申請(專利權)人: | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038 | 代理人: | 歐陽帆 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制造 半導體 裝置 設備 | ||
技術領域
本發明總體而言涉及半導體領域,具體而言,涉及用于制造半導體裝置的設備。
背景技術
在半導體裝置的制造過程中,很多工藝步驟都需要在一定的溫度條件下進行。因此,用于制造半導體裝置的設備通常具備對晶片進行加熱的功能。但如果晶片加熱的不均勻,即在晶片的不同部位之間存在溫度差異,就會導致晶片發生變色,影響加工效果和成品質量。因此,有必要對用于制造半導體裝置的設備采取一定改進,以避免對晶片加熱不均勻導致的質量問題。
發明內容
本公開的一個目的是提供一種新穎的用于制造半導體裝置的設備。
根據本公開的一個方面,提供了一種用于制造半導體裝置的設備,所述設備包括:加熱臺,用于支撐并加熱晶片;多個升降桿(lift pin),用于使所述晶片相對于所述加熱臺上下運動,所述多個升降桿中的每個升降桿都設置為穿過所述加熱臺并且具有加熱元件;以及致動裝置,設置為與所述多個升降桿耦接,以使得所述多個升降桿能夠相對于所述加熱臺上下運動。
在一個實施例中,所述設備還包括:真空腔,所述加熱臺和所述多個升降桿設置在所述真空腔內。
在一個實施例中,所述設備還包括:第一溫度控制系統,配置為控制所述多個升降桿中的所述加熱元件以使得所述多個升降桿保持在第一預定溫度。
在一個實施例中,所述第一溫度控制系統包括:第一溫度傳感器,設置在所述多個升降桿中的每個升降桿中以用于感測所述多個升降桿的溫度。
在一個實施例中,所述設備還包括:第二溫度控制系統,配置為使得所述加熱臺保持在第二預定溫度。
在一個實施例中,所述第二溫度控制系統包括:第二溫度傳感器,設置在所述加熱臺中以用于感測所述加熱臺的溫度。
在一個實施例中,所述設備還包括:溫度控制系統,所述溫度控制系統包括:第一溫度傳感器,設置在所述多個升降桿中的每個升降桿中以用于感測所述多個升降桿的溫度;第二溫度傳感器,設置在所述加熱臺中以用于感測所述加熱臺的溫度;以及溫度控制器,配置為基于所述第一溫度傳感器感測到的溫度和所述第二溫度傳感器感測到的溫度來控制所述多個升降桿中的所述加熱元件,以使得所述多個升降桿與所述加熱臺保持在相同的溫度。
在一個實施例中,所述致動裝置包括:升降圈,與所述多個升降桿耦接以使得所述多個升降桿同步地運動。
在一個實施例中,所述致動裝置還包括:驅動單元,設置在所述真空腔外部;氣密伸縮單元,所述氣密伸縮單元的上端密封連接在所述真空腔的底部,下端與所述驅動單元耦接;以及連接桿,所述連接桿的上端連接在所述升降圈的底部,下端穿過所述氣密伸縮單元與所述驅動單元耦接;其中,所述氣密伸縮單元用來在所述連接桿的運動過程中保持所述真空腔的氣密性。
在一個實施例中,所述氣密伸縮單元為彈性元件,并且在所述連接桿的運動過程中發生拉伸或壓縮的形變。
在一個實施例中,所述驅動單元包括:驅動臺,與所述連接桿的下端連接,并且與所述氣密伸縮單元的下端密封連接;驅動桿,所述驅動桿的上端連接在所述驅動臺的底部,下端與馬達連接;以及馬達,用于為所述驅動桿提供動力。
在一個實施例中,所述驅動單元還包括:支撐結構,所述支撐結構的上端連接在所述真空腔的底部并且包圍所述氣密伸縮單元和所述驅動臺,其中所述驅動桿穿過所述支撐結構的底部。
在一個實施例中,所述加熱臺能夠上下運動。
在一個實施例中,所述加熱臺和所述多個升降桿能夠通過各自的上下運動與機械臂相互配合,實現對晶片的搬運操作。
在一個實施例中,所述機械臂是所述設備的一部分。
在一個實施例中,所述多個升降桿中的每個升降桿都包括頂部和桿體,其中,所述頂部的尺寸大于所述桿體的尺寸。
在一個實施例中,所述多個升降桿能夠沉降得低于所述加熱臺的上表面。
在一個實施例中,所述多個升降桿沿著所述加熱臺的周向均勻布置。
在一個實施例中,所述多個升降桿包括呈正三角形布置的三根升降桿。
根據本公開的另一個方面,提供了一種半導體裝置加工設備,所述半導體裝置加工設備包括機械臂以及如前所述的用于制造半導體裝置的設備。
通過以下參照附圖對本公開的示例性實施例的詳細描述,本公開的其它特征及其優點將會變得清楚。
附圖說明
構成說明書的一部分的附圖描述了本公開的實施例,并且連同說明書一起用于解釋本公開的原理。
參照附圖,根據下面的詳細描述,可以更加清楚地理解本公開,其中:
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





