[發明專利]用于制造半導體裝置的設備在審
| 申請號: | 201711281205.1 | 申請日: | 2017-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN107958861A | 公開(公告)日: | 2018-04-24 |
| 發明(設計)人: | 胡廣嚴;吳龍江;林宗賢 | 申請(專利權)人: | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038 | 代理人: | 歐陽帆 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制造 半導體 裝置 設備 | ||
1.一種用于制造半導體裝置的設備,其特征在于,所述設備包括:
加熱臺,用于支撐并加熱晶片;
多個升降桿,用于使所述晶片相對于所述加熱臺上下運動,所述多個升降桿中的每個升降桿都設置為穿過所述加熱臺并且具有加熱元件;以及
致動裝置,設置為與所述多個升降桿耦接,以使得所述多個升降桿能夠相對于所述加熱臺上下運動。
2.根據權利要求1所述的設備,其特征在于,所述設備還包括:
真空腔,所述加熱臺和所述多個升降桿設置在所述真空腔內。
3.根據權利要求2所述的設備,其特征在于,所述設備還包括:
第一溫度控制系統,配置為控制所述多個升降桿中的所述加熱元件以使得所述多個升降桿保持在第一預定溫度。
4.根據權利要求3所述的設備,其特征在于,所述第一溫度控制系統包括:
第一溫度傳感器,設置在所述多個升降桿中的每個升降桿中以用于感測所述多個升降桿的溫度。
5.根據權利要求4所述的設備,其特征在于,所述設備還包括:
第二溫度控制系統,配置為使得所述加熱臺保持在第二預定溫度。
6.根據權利要求5所述的設備,其特征在于,所述第二溫度控制系統包括:
第二溫度傳感器,設置在所述加熱臺中以用于感測所述加熱臺的溫度。
7.根據權利要求2所述的設備,其特征在于,所述設備還包括:
溫度控制系統,所述溫度控制系統包括:
第一溫度傳感器,設置在所述多個升降桿中的每個升降桿中以用于感測所述多個升降桿的溫度;
第二溫度傳感器,設置在所述加熱臺中以用于感測所述加熱臺的溫度;以及
溫度控制器,配置為基于所述第一溫度傳感器感測到的溫度和所述第二溫度傳感器感測到的溫度來控制所述多個升降桿中的所述加熱元件,以使得所述多個升降桿與所述加熱臺保持在相同的溫度。
8.根據權利要求2所述的設備,其特征在于,所述致動裝置包括:
升降圈,與所述多個升降桿耦接以使得所述多個升降桿同步地運動。
9.根據權利要求8所述的設備,其特征在于,所述致動裝置還包括:
驅動單元,設置在所述真空腔外部;
氣密伸縮單元,所述氣密伸縮單元的上端密封連接在所述真空腔的底部,下端與所述驅動單元耦接;以及
連接桿,所述連接桿的上端連接在所述升降圈的底部,下端穿過所述氣密伸縮單元與所述驅動單元耦接;
其中,所述氣密伸縮單元用來在所述連接桿的運動過程中保持所述真空腔的氣密性。
10.根據權利要求9所述的設備,其特征在于,所述氣密伸縮單元為彈性元件,并且在所述連接桿的運動過程中發生拉伸或壓縮的形變。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





