[發(fā)明專利]封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711278321.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109119382B | 公開(公告)日: | 2022-01-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張碧蘭;陳承先;古進(jìn)譽(yù);陳旭賢;黃威志;林峻瑩;周立婕 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/31 | 分類號(hào): | H01L23/31;H01L23/498 |
| 代理公司: | 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243 | 代理人: | 顧伯興 |
| 地址: | 中國臺(tái)灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 制作方法 | ||
提供一種封裝結(jié)構(gòu),所述封裝結(jié)構(gòu)包括線路襯底、半導(dǎo)體管芯、重布線層、及多個(gè)導(dǎo)電球。所述重布線層設(shè)置在所述半導(dǎo)體管芯上,且電連接到所述半導(dǎo)體管芯。所述多個(gè)導(dǎo)電球設(shè)置在所述重布線層與所述線路襯底之間。所述半導(dǎo)體管芯通過所述多個(gè)導(dǎo)電球電連接到所述線路襯底。所述多個(gè)導(dǎo)電球中的每一者具有:球腳部,具有第一寬度D1;球頭部,具有第三寬度D3;以及球腰部,具有第二寬度D2且位于所述球腳部與所述球頭部之間。所述球腳部連接到所述重布線層,所述球頭部連接到所述線路襯底,且所述球腰部是所述多個(gè)導(dǎo)電球中的每一者的最窄部分。據(jù)此,來自線路襯底或管芯的應(yīng)力可被傳遞到球腰部,從而緩解球頭部或球腳部處的應(yīng)力或應(yīng)變。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體裝置及集成電路通常是在單個(gè)半導(dǎo)體晶片上制成。可使用其他半導(dǎo)體裝置或管芯對(duì)晶片的管芯進(jìn)行晶片級(jí)加工及封裝,且已開發(fā)出用于晶片級(jí)封裝(waferlevelpackaging)的各種技術(shù)。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例,提供一種封裝結(jié)構(gòu),所述封裝結(jié)構(gòu)包括線路襯底、半導(dǎo)體管芯、重布線層、及多個(gè)導(dǎo)電球。所述重布線層設(shè)置在所述半導(dǎo)體管芯上,且電連接到所述半導(dǎo)體管芯。所述多個(gè)導(dǎo)電球設(shè)置在所述重布線層與所述線路襯底之間。所述半導(dǎo)體管芯通過所述多個(gè)導(dǎo)電球電連接到所述線路襯底。所述多個(gè)導(dǎo)電球中的每一者具有:球腳部,具有第一寬度D1;球頭部,具有第三寬度D3;以及球腰部,具有第二寬度D2且位于所述球腳部與所述球頭部之間。所述球腳部連接到所述重布線層,所述球頭部連接到所述線路襯底,且所述球腰部是所述多個(gè)導(dǎo)電球中的每一者的最窄部分。
附圖說明
結(jié)合附圖閱讀以下詳細(xì)說明,會(huì)最好地理解本發(fā)明實(shí)施例的各個(gè)方面。應(yīng)注意,根據(jù)本行業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)慣例,各種特征并非按比例繪制。事實(shí)上,為論述清晰起見,可任意增大或減小各種特征的尺寸。
圖1A到圖1I是根據(jù)一些示例性實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法中的各種階段的示意性剖視圖。
圖2是根據(jù)一些示例性實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的一個(gè)階段的示意性剖視圖。
圖3A是根據(jù)一些示例性實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)的包括導(dǎo)電球(conductive ball)的一部分的示意性剖視圖。
圖3B是根據(jù)一些示例性實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)的包括導(dǎo)電球的一部分的示意性剖視圖。
附圖標(biāo)號(hào)說明
10、20:封裝結(jié)構(gòu)
100:半導(dǎo)體管芯
110:半導(dǎo)體襯底
120、302:導(dǎo)電接墊
130:鈍化層
140:后鈍化層
150:導(dǎo)通孔/導(dǎo)電柱
160:保護(hù)層
200:晶片結(jié)構(gòu)
202:絕緣材料
202’:封裝體
210:重布線層
210A:導(dǎo)電層
210B:層間介電層
211:路由跡線
212:接墊
214:第一導(dǎo)電部分
214a:頂部
216:支持層
216a:上表面
300:線路襯底
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