[發明專利]清潔方法有效
| 申請號: | 201711277807.X | 申請日: | 2017-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN108149221B | 公開(公告)日: | 2021-06-25 |
| 發明(設計)人: | 田村辰也;梅原隆人 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 清潔 方法 | ||
本發明提供一種能夠縮短清潔時間并進行均勻性高的清潔的清潔方法。一個實施方式的清潔方法包括以下工序:第一清潔工序,在處理室內在使上表面能夠載置基板的旋轉臺在第一清潔位置旋轉的狀態下,從所述旋轉臺的基板載置面的上方供給清潔氣體;以及第二清潔工序,在使所述旋轉臺在比所述第一清潔位置靠下方的第二清潔位置旋轉的狀態下,從所述旋轉臺的基板載置面的上方供給所述清潔氣體。
技術領域
本發明涉及一種清潔方法。
背景技術
在半導體裝置等的制造中所使用的成膜裝置中,不僅在基板的上表面堆積膜,在載置基板的旋轉臺的上表面、側表面、下表面等也堆積膜。而且,當在旋轉臺的上表面、側表面、下表面等堆積的膜的膜厚變厚時,堆積的膜剝落,產生微粒。因此,定期性地向處理室內供給清潔氣體來去除在旋轉臺的上表面、側表面、下表面等堆積的膜(例如參照專利文獻1)。
專利文獻1:日本特開2010-153805號公報
發明內容
然而,在上述的方法中,供給清潔氣體的噴嘴與旋轉臺之間的間隔狹小,因此從噴嘴供給的清潔氣體的流速快,使得清潔氣體大部分在去除堆積于旋轉臺的上表面的膜之前被排出。因此,去除在旋轉臺的上表面堆積的膜所需的清潔時間變長,另外,在旋轉臺的表面內去除堆積的膜的時間產生差異。
因此,在本發明的一個方式中,其目的在于,提供一種能夠縮短清潔時間并進行均勻性高的清潔的清潔方法。
為了達成上述目的,本發明的一個方式所涉及的清潔方法包括以下工序:第一清潔工序,在處理室內在使上表面能夠載置基板的旋轉臺在第一清潔位置旋轉的狀態下,從所述旋轉臺的基板載置面的上方供給清潔氣體;以及第二清潔工序,在使所述旋轉臺在比所述第一清潔位置靠下方的第二清潔位置旋轉的狀態下,從所述旋轉臺的基板載置面的上方供給所述清潔氣體。
根據公開的清潔方法,能夠縮短清潔時間,進行均勻性高的清潔。
附圖說明
圖1是本發明的實施方式所涉及的成膜裝置的概要截面圖。
圖2是示出圖1的成膜裝置的真空容器內的結構的概要立體圖。
圖3是示出圖1的成膜裝置的真空容器內的結構的概要俯視圖。
圖4是圖1的成膜裝置的沿著旋轉臺的同心圓的真空容器的概要截面圖。
圖5是用于說明圖1的成膜裝置的分離區域的概要截面圖。
圖6是示出本發明的實施方式的清潔方法的一例的時序圖。
圖7是用于說明圖1的成膜裝置的旋轉臺的升降動作的概要截面圖(1)。
圖8是用于說明圖1的成膜裝置的旋轉臺的升降動作的概要截面圖(2)。
圖9是示出本發明的實施方式的清潔方法的另一例子的時序圖。
1:真空容器;2:旋轉臺;2a:凹部;5:突出部;31:反應氣體噴嘴;32:反應氣體噴嘴;33:清潔氣體噴嘴;51:分離氣體供給管;C:中心區域;D:分離區域;P1:第一處理區域;P2:第二處理區域;W:晶圓。
具體實施方式
下面,參照附圖來說明用于實施本發明的方式。此外,在本說明書和附圖中,通過對實質上相同的結構標注相同的標記來省略重復的說明。
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





