[發明專利]FFS模式陣列基板的制造方法

有效

• 申請號: 201711277779.1
• 申請日: 2017-12-06
• 公開（公告）號: CN108054140B
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發明（設計）人: 鄧永
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

本發明實施例公開了一種FFS模式陣列基板的制造方法，所述方法包括：提供基板；在基板上依序沉積透明半導體層和第一金屬層,通過第一光罩圖案化所述透明半導體層和第一金屬層形成共通電極和柵極；從下到上依序沉積柵極絕緣層、氧化物半導體層和第二金屬層；通過第二光罩圖案化所述氧化物半導體層和第二金屬層形成有源層、像素電極、源極和漏極，其中，所述源極和漏極分別位于有源層的兩側上，所述漏極與所述像素電極電連接；沉積鈍化層，且通過第三光罩圖案化所述鈍化層形成過孔。采用本發明，具有簡化制程、降低成本的優點。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種FFS模式陣列基板的制造方法。

背景技術

現有的FFS模式液晶顯示裝置，因為具有高亮度，廣視角，以及較低的色偏等優點，而成為行業研究的熱點。FFS模式液晶顯示裝置包括FFS模式陣列基板，一般說來，所述FFS模式陣列基板普遍需要5道以上的光罩，制備工藝復雜，成本也相對較高。

在上述的FFS模式陣列基板中，其內的薄膜晶體管為BCE結構或者Top-gate結構，隨著技術的進步，最近產品上出現了垂直結構的薄膜晶體管，包含該種垂直結構的薄膜晶體管的FFS模式陣列基板請參見圖1，該種FFS模式陣列基板包括基板110、源極121、共通電極122、平坦層130、第一絕緣層140、像素電極150、有源層160、柵極絕緣層170和柵極180等膜層，雖然該種垂直結構的薄膜晶體管可以做的很小，可以提高FFS模式液晶顯示裝置開口率。然而，由于垂直結構薄膜晶體管本身復雜，此種結構進一步使FFS陣列基板結構復雜化，所需要的光罩數目更多，成本更高。

發明內容

本發明實施例所要解決的技術問題在于，提供一種FFS模式陣列基板及其制造方法?？珊喕瞥?，降低成本。

為了解決上述技術問題，本發明第一方面實施例提供了一種FFS模式陣列基板的制造方法，所述FFS模式陣列基板包括垂直結構薄膜晶體管，所述制造方法包括：

提供基板；

在基板上依序沉積透明半導體層和第一金屬層，所述第一金屬層位于透明半導體層上；

通過第一光罩圖案化所述透明半導體層和第一金屬層形成共通電極和柵極；

從下到上依序沉積柵極絕緣層、氧化物半導體層和第二金屬層；

通過第二光罩圖案化所述氧化物半導體層和第二金屬層形成有源層、像素電極、源極和漏極，其中，所述源極和漏極分別位于有源層的兩側上，所述漏極與所述像素電極電連接；

沉積鈍化層，且通過第三光罩圖案化所述鈍化層形成過孔。

在本發明第一方面一實施例中，在所述在基板上依序沉積透明半導體層和第一金屬層，所述第一金屬層位于透明半導體層上的步驟之后還包括：通過所述第一光罩圖案化所述第一金屬層和透明半導體層還形成共通走線和掃描線，所述共通走線與所述共通電極電連接，所述掃描線與所述柵極電連接。

在本發明第一方面一實施例中，所述有源層為“Z”型。

在本發明第一方面一實施例中，所述像素電極由氧化物半導體層圖案化后摻雜氫離子形成。

在本發明第一方面一實施例中，所述第一光罩和所述第二光罩為半色調光罩。

本發明第二方面實施例提供了一種FFS模式陣列基板，包括：

基板；

共通電極，其位于所述基板上，其由透明半導體層構成；

柵極，其位于所述基板上，其由透明半導體層和第一金屬層構成；

柵極絕緣層，其位于所述柵極、共通電極和基板上；

有源層，其位于所述柵極絕緣層上，且由氧化物半導體層構成；