[發明專利]FFS模式陣列基板的制造方法有效
| 申請號： | 201711277779.1 | 申請日： | 2017-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN108054140B | 公開（公告）日： | 2020-11-06 |
| 發明（設計）人： | 鄧永 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/77 | 分類號： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址： | 518132 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ffs 模式 陣列 制造 方法 | ||
1.一種FFS模式陣列基板的制造方法，其特征在于，所述FFS模式陣列基板包括垂直結構薄膜晶體管，所述方法包括：
提供基板；
在基板上依序沉積透明半導體層和第一金屬層，所述第一金屬層位于透明半導體層上；
通過第一光罩圖案化所述透明半導體層和第一金屬層形成共通電極和柵極；
從下到上依序沉積柵極絕緣層、氧化物半導體層和第二金屬層；
通過第二光罩圖案化所述氧化物半導體層和第二金屬層形成有源層、像素電極、源極和漏極，其中，所述源極和漏極分別位于有源層的兩側上，并覆蓋所述有源層；所述漏極與所述像素電極電連接；
沉積鈍化層，且通過第三光罩圖案化所述鈍化層形成過孔。
2.如權利要求1所述的FFS模式陣列基板的制造方法，其特征在于，在所述在基板上依序沉積透明半導體層和第一金屬層，所述第一金屬層位于透明半導體層上的步驟之后還包括：
通過所述第一光罩圖案化所述第一金屬層和透明半導體層,還形成共通走線和掃描線，所述共通走線與所述共通電極電連接，所述掃描線與所述柵極電連接。
3.如權利要求1所述的FFS模式陣列基板的制造方法，其特征在于，所述有源層為“Z”型。
4.如權利要求1所述的FFS模式陣列基板的制造方法，其特征在于，所述像素電極由氧化物半導體層圖案化后摻雜氫離子形成。
5.如權利要求1所述的FFS模式陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第一光罩和所述第二光罩為半色調光罩。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
