[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711277276.4
• 申請日: 2017-12-06
• 公開（公告）號: CN109216322A
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳勝郁;陳清暉;李明機(jī);吳凱第;郭建鴻;王肇儀;黃宏麟;王子中;邱俊貿(mào)
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

一種半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體基板。墊區(qū)域(pad region)設(shè)置于半導(dǎo)體基板上。微凸塊設(shè)置于墊區(qū)域上。微凸塊(micro bump)具有在墊區(qū)域上的第一部分及在第一部分上的第二部分。第一部分與第二部分具有不同寬度。第一部分具有第一寬度并且第二部分具有第二寬度。第一寬度大于或小于第二寬度。微凸塊包括鎳及金。半導(dǎo)體裝置亦包括覆蓋墊區(qū)域的一部分的鈍化層。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例是關(guān)于半導(dǎo)體元件，更具體關(guān)于具有凸塊的半導(dǎo)體元件。

背景技術(shù)

現(xiàn)代集成電路是由數(shù)以百萬計(jì)主動及/或被動裝置(諸如晶體管及電容器)構(gòu)成。這些裝置最初彼此隔離，但隨后互連在一起以形成功能電路(functional circuits)。一般互連結(jié)構(gòu)包括橫向互連(諸如金屬線(接線))及垂直互連(諸如通孔及接觸)。互連越來越?jīng)Q定現(xiàn)代集成電路的效能及密度的限制。在互連結(jié)構(gòu)的頂部，凸塊形成并且暴露在對應(yīng)晶片的表面上。電性連接經(jīng)由凸塊構(gòu)成，以連接晶片與另一元件。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本揭露的一態(tài)樣，半導(dǎo)體裝置包含半導(dǎo)體基板、導(dǎo)電墊、導(dǎo)電凸塊、導(dǎo)電帽以及至少一個(gè)鈍化層。導(dǎo)電墊位于半導(dǎo)體基板上方。導(dǎo)電凸塊位于導(dǎo)電墊上方。導(dǎo)電帽位于導(dǎo)電凸塊上方，其中導(dǎo)電凸塊與導(dǎo)電帽的組合具有階梯側(cè)壁輪廓。鈍化層位于導(dǎo)電基板上方，并且圍繞導(dǎo)電凸塊。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合隨附附圖閱讀時(shí)，自以下詳細(xì)描述將很好地理解本揭露的態(tài)樣。應(yīng)注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)務(wù)，各特征并非按比例繪制。事實(shí)上，出于論述清晰的目的，可任意增加或減小各特征的尺寸。

圖1是繪示根據(jù)本揭示的一些實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖；

圖2至圖8是根據(jù)本揭示的一些實(shí)施例的于凸塊形成制程中的各個(gè)階段的半導(dǎo)體裝置的一部分的橫截面圖；

圖9及圖10是根據(jù)本揭示的一些實(shí)施例的于凸塊形成制程的中間階段的半導(dǎo)體裝置的一部分的橫截面圖；

圖11至圖20是根據(jù)本揭示的一些實(shí)施例的于凸塊形成制程的中間階段的半導(dǎo)體裝置的一部分的橫截面圖；

圖21至圖27是根據(jù)本揭示的一些實(shí)施例的于凸塊形成制程的中間階段的半導(dǎo)體裝置的一部分的橫截面圖；

圖28至圖34是根據(jù)本揭示的一些實(shí)施例的于凸塊形成制程的中間階段的半導(dǎo)體裝置的一部分的橫截面圖；

圖35是繪示根據(jù)本揭示的一些實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖；

圖36至圖43是根據(jù)本揭示的一些實(shí)施例的于凸塊形成制程的各個(gè)階段的半導(dǎo)體裝置的一部分的橫截面圖；以及

圖44是根據(jù)本揭示的一些實(shí)施例的于凸塊形成制程的各個(gè)階段的半導(dǎo)體裝置的一部分的橫截面圖。

具體實(shí)施方式

以下揭示提供了許多不同實(shí)施例或?qū)嵗员銓?shí)施所提供標(biāo)的的不同特征。下文描述組件及排列的特定實(shí)例以簡化本揭示。當(dāng)然，這些實(shí)例僅為示例且并不意欲為限制性。例如，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括以直接接觸形成第一特征及第二特征的實(shí)施例，且亦可包括可在第一特征與第二特征之間形成額外特征以使得第一特征及第二特征可不處于直接接觸的實(shí)施例。另外，本揭示可在各實(shí)例中重復(fù)元件符號及/或字母。此重復(fù)是出于簡明性及清晰的目的并且本身并不指示所論述的各實(shí)施例及/或配置之間的關(guān)系。

進(jìn)一步地，為了便于描述，本文可使用空間相對性術(shù)語(諸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及類似者)來描述諸圖中所圖示的一個(gè)元件或特征與另一元件或特征的關(guān)系。除了諸圖所描繪的定向外，空間相對性術(shù)語意欲包含使用或操作中裝置的不同定向。設(shè)備可經(jīng)其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或處于其他定向)且因此可類似解讀本文所使用的空間相對性描述詞。