[發(fā)明專利]半固化片漲縮測(cè)量方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711276960.0
• 申請(qǐng)日: 2017-12-06
• 公開（公告）號(hào): CN108088401A
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李華;程柳軍;何泳儀;李艷國
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣州興森快捷電路科技有限公司;深圳市興森快捷電路科技股份有限公司;宜興硅谷電子科技有限公司
• 主分類號(hào): G01B21/02
• 分類號(hào): G01B21/02
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 劉靜

1.一種半固化片漲縮測(cè)量方法，其特征在于，包括步驟：

1)提供至少四個(gè)金屬片；

2)將多個(gè)所述金屬片間隔附于半固化片上，并加熱所述金屬片以使所述金屬片粘附于所述半固化片上；

3)在選定位置測(cè)量每兩個(gè)所述金屬片之間的間距，記為初始間距；

4)在所述半固化片上附上銅箔并進(jìn)行層壓處理；

5)剝?nèi)ニ鲢~箔，并測(cè)量經(jīng)層壓處理后的所述半固化片上的每兩個(gè)所述金屬片的選定位置之間的間距，記為最終間距；

6)計(jì)算所述初始間距與所述最終間距之間的差值，記為所述半固化片的漲縮值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半固化片漲縮測(cè)量方法，其特征在于，所述步驟1)及所述步驟2)之間還包括步驟：在半固化片上制作至少四個(gè)定位標(biāo)示，使每個(gè)所述金屬片分別粘附于對(duì)應(yīng)的所述定位標(biāo)示處。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半固化片漲縮測(cè)量方法，其特征在于，所述步驟在半固化片上制作至少四個(gè)定位標(biāo)示具體包括步驟：

提供矩形半固化片；

沿所述半固化片的玻纖的經(jīng)向與緯向制作至少四個(gè)定位標(biāo)示。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半固化片漲縮測(cè)量方法，其特征在于，所述步驟在半固化片上制作至少四個(gè)定位標(biāo)示具體包括步驟：

提供圓形半固化片；

沿所述半固化片的直徑方向或圓周方向制作至少四個(gè)定位標(biāo)示。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的半固化片漲縮測(cè)量方法，其特征在于，所述步驟2)具體包括步驟：

提供相同大小的圓形金屬片；

將每個(gè)所述金屬片的圓心分別對(duì)準(zhǔn)相對(duì)應(yīng)的所述定位標(biāo)示附于所述半固化片上，并加熱所述金屬片以使所述金屬片粘附于所述定位標(biāo)示處。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半固化片漲縮測(cè)量方法，其特征在于，所述金屬片的直徑為1mm-4mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半固化片漲縮測(cè)量方法，其特征在于，所述步驟3)具體包括步驟：

測(cè)量每兩個(gè)所述金屬片之間的間距的次數(shù)為三次以上，取所有的測(cè)量數(shù)據(jù)的平均值作為初始間距；

和/或所述步驟5)具體包括步驟：

測(cè)量經(jīng)層壓處理后的所述半固化片上的每兩個(gè)所述金屬片的選定位置之間的間距的次數(shù)為三次以上，取所有的測(cè)量數(shù)據(jù)的平均值作為最終間距。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半固化片漲縮測(cè)量方法，其特征在于，所述步驟6)具體包括步驟：

計(jì)算所述最終間距與所述初始間距之間的差值再比上所述初始間距，記為所述半固化片的漲縮值。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半固化片漲縮測(cè)量方法，其特征在于，重復(fù)所述步驟1)到所述步驟6)，以得到不同樹脂體系及不同玻纖的半固化片的漲縮值。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半固化片漲縮測(cè)量方法，其特征在于，在PCB制作過程中根據(jù)不同所述半固化片的漲縮值選擇半固化片。