[發明專利]半導體裝置及其形成方法

有效

• 申請號: 201711276681.4
• 申請日: 2017-12-06
• 公開（公告）號: CN109427896B
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: 許劭銘;李振銘;吳以雯;楊復凱;王嘉亨;王美勻
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/417
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;張福根

1.一種半導體裝置的形成方法，該方法包括：

提供一結構，包括：

一基板；

一第一柵極結構和一第二柵極結構，位于該基板之上；

一第一源極/漏極特征和一第二源極/漏極特征，位于該基板之上，其中該第一源極/漏極特征與該第一柵極結構相鄰，該第二源極/漏極特征與該第二柵極結構相鄰，且該第一和第二源極/漏極特征包括不同的材料；

一第一介電層，位于該第一和第二柵極結構的側壁之上且位于該第一和第二源極/漏極特征之上；以及

一第二介電層，位于該第一介電層之上；

蝕刻該第一和第二介電層以暴露該第一和第二源極/漏極特征；

摻雜一p-型摻質至該第一和第二源極/漏極特征；以及

在摻雜該p-型摻質之后，對該第一和第二源極/漏極特征實施一選擇性蝕刻制程，其中比起使該第二源極/漏極特征凹陷，該選擇性蝕刻制程較快地使該第一源極/漏極特征凹陷。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中該第一源極/漏極特征包括摻雜有一n-型摻質的硅或硅-碳，且該第二源極/漏極特征包括硅鍺。

3.如權利要求2所述的半導體裝置的形成方法，其中該n-型摻質為磷或砷且該p-型摻質為硼。

4.如權利要求3所述的半導體裝置的形成方法，其中該選擇性蝕刻制程包括使用SF₆、H₂、及CF₄的一氣體混合物的一干蝕刻制程。

5.如權利要求3所述的半導體裝置的形成方法，其中該選擇性蝕刻制程包括使用NH₄OH或TMAH的一濕蝕刻制程。

6.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中該摻雜該p-型摻質使用的一摻雜能量范圍為1keV至5keV且該p-型摻質的一摻質劑量范圍為1E15cm^-2至1E16cm^-2。

7.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，在該蝕刻該第一和第二介電層之后及在該摻雜該p-型摻質之前，還包括：

沉積一第三介電層于該結構之上；以及

對該第三介電層實施一非等向性蝕刻制程以暴露該第一和第二源極/漏極特征并保留一部分的該第三介電層于該第一和第二柵極結構的側壁之上。

8.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，在實施該選擇性蝕刻制程之后，還包括：

對位于該第二源極/漏極特征中的該p-型摻質進行退火。

9.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，在實施該選擇性蝕刻制程之前，還包括：

對位于至少該第二源極/漏極特征中的該p-型摻質進行退火。

10.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，在實施該選擇性蝕刻制程之后，還包括：

沉積一金屬于該第一和第二源極/漏極特征的剩余部分之上。

11.如權利要求10所述的半導體裝置的形成方法，在實施該選擇性蝕刻制程之后及在該沉積該金屬之前，還包括：

形成一第一硅化物特征于該第一源極/漏極特征的該剩余部分之上；以及

形成一第二硅化物特征于該第二源極/漏極特征的該剩余部分之上。