[發(fā)明專利]一種小型化高抑制LTCC帶通濾波器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711274292.8 | 申請日: | 2017-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN108011605A | 公開(公告)日: | 2018-05-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 林亞梅;劉季超;朱建華;黎燕林;王志華;鄧兵;丁哲蘭 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳振華富電子有限公司;中國振華(集團)科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H03H1/00 | 分類號: | H03H1/00;H03H7/12 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人: | 官建紅 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 小型化 抑制 ltcc 帶通濾波器 | ||
1.一種小型化高抑制LTCC帶通濾波器,其特征在于,包括基體、內(nèi)電極和端電極,所述基體包括依次層疊的頂層基板、次頂層基板、次底層基板和底層基板;
所述內(nèi)電極包括第一諧振單元、第二諧振單元、第三諧振單元和第四諧振單元;
所述第一諧振單元包括內(nèi)嵌于所述頂層基板中的第一電容和內(nèi)嵌于所述次頂層基板中的第一電感;
所述第二諧振單元包括內(nèi)嵌于所述次底層基板中的第二電感和內(nèi)嵌于所述底層基板中的第二電容;
所述第三諧振單元包括內(nèi)嵌于所述次底層基板中的第三電感和內(nèi)嵌于所述底層基板中的第三電容,所述第三諧振單元與所述第二諧振單元對稱設置;
所述第四諧振單元包括內(nèi)嵌于所述頂層基板中的第四電容和內(nèi)嵌于所述次頂層基板中的第四電感,所述第四諧振單元與所述第一諧振單元對稱設置;
所述端電極包括輸入端電極、輸出端電極和接地端電極;
所述第一諧振單元一端接所述輸入端電極,另一端接所述接地端電極;
所述第一電感和所述第二電感形成第一耦合電感;
所述第二諧振單元的一端和所述第三諧振單元的一端通過第五電容耦合,所述第二諧振單元的另一端和所述第三諧振單元的另一端接所述接地端電極;
所述第三電感和所述第四電感形成第二耦合電感;
所述第四諧振單元的一端接所述輸出端電極,另一端接所述接地端電極。
2.如權(quán)利要求1所述的小型化高抑制LTCC帶通濾波器,其特征在于,所述第一電容和所述第四電容的容值相同,所述第二電容和所述第三電容的容值相同。
3.如權(quán)利要求1或2所述的小型化高抑制LTCC帶通濾波器,其特征在于,所述第一電容、所述第二電容、所述第三電容和所述第四電容為多層平板電容。
4.如權(quán)利要求1所述的小型化高抑制LTCC帶通濾波器,其特征在于,所述第一電感、所述第二電感、所述第三電感和所述第四電感為螺旋電感。
5.如權(quán)利要求1或4所述的小型化高抑制LTCC帶通濾波器,其特征在于,所述第一電感和所述第四電感的長度相同,所述第二電感和所述第三電感的長度相同。
6.如權(quán)利要求1、2或4所述的小型化高抑制LTCC帶通濾波器,其特征在于,所述第一電感和所述第一電容通過垂直過孔進行連接;所述第二電感和所述第二電容通過垂直過孔連接;所述第三電感和所述第三電容通過垂直過孔進行連接;所述第四電感和所述第四電容通過垂直過孔進行連接。
7.如權(quán)利要求6所述的小型化高抑制LTCC帶通濾波器,其特征在于,所述垂直過孔的孔深不小于0.9mm。
8.如權(quán)利要求1所述的小型化高抑制LTCC帶通濾波器,其特征在于,所述輸入端電極和所述輸出端電極分別設于所述基體長度方向上的相對兩端,所述接地端電極設于所述基體長度方向上的中部外側(cè)。
9.如權(quán)利要求1所述的小型化高抑制LTCC帶通濾波器,其特征在于,所述帶通濾波器采用低溫共燒陶瓷工藝實現(xiàn),所述基體為低溫共燒陶瓷介質(zhì)。
10.如權(quán)利要求1所述的小型化高抑制LTCC帶通濾波器,其特征在于,所述輸入端電極、所述輸出端電極和所述接地端電極均包括三層鍍層,所述鍍層從內(nèi)到外依次為銀鍍層、鎳鍍層和錫鍍層。
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