[發(fā)明專利]應(yīng)變損失緩解方法及其結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711270023.4
• 申請日: 2017-12-05
• 公開（公告）號: CN109427895B
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王勝雄;張永豐;謝東衡
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底，具有襯底鰭部，其中，所述襯底鰭部包括第一材料；

第一區(qū)域，形成在所述襯底鰭部的第一部分上方，其中，所述第一區(qū)域包括與所述第一材料不同的第二材料，所述第二材料包括應(yīng)變材料；

第二區(qū)域，形成在所述襯底鰭部的第二部分上方；以及

連接區(qū)域，形成在所述襯底鰭部的第三部分上方，其中，所述連接區(qū)域設(shè)置在所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間并且與所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中的每一個都鄰接，并且所述連接區(qū)域包括硅(Si)層，

其中，所述連接區(qū)域在所述半導(dǎo)體器件中在電路上是不能工作的。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述連接區(qū)域物理接觸所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中的每一個。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一區(qū)域包括P型有源區(qū)域，并且所述第二區(qū)域包括N型第二區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域和所述連接區(qū)域中的每一個都包括外延生長層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二材料包括應(yīng)變SiGe層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述連接區(qū)域防止所述應(yīng)變SiGe層內(nèi)的應(yīng)變松弛。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一材料包括硅(Si)，并且所述第二材料包括SiGe。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述連接區(qū)域包括未摻雜的Si層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述襯底包括硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二區(qū)域與所述襯底鰭部的導(dǎo)電類型相同。

11.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底，包括凹進(jìn)的鰭，其中，所述襯底由第一材料組成；

P型第一區(qū)域，設(shè)置在所述凹進(jìn)的鰭上方，其中，所述P型第一區(qū)域由與所述第一材料不同的第二材料組成，所述第二材料包括應(yīng)變材料；

N型第二區(qū)域，設(shè)置在所述凹進(jìn)的鰭上方并與所述P型第一區(qū)域相鄰，其中，所述N型第二區(qū)域和所述P型第一區(qū)域通過間隙分離；

硅(Si)連接區(qū)域，設(shè)置于所述間隙內(nèi)的所述凹進(jìn)的鰭上方，其中，所述硅連接區(qū)域與所述P型第一區(qū)域和所述N型第二區(qū)域中的每一個都相鄰并接觸，

其中，所述硅連接區(qū)域在所述半導(dǎo)體器件中在電路上是不能工作的。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述P型第一區(qū)域、所述N型第二區(qū)域和所述硅連接區(qū)域中的每一個都包括外延層。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述P型第一區(qū)域包括應(yīng)變SiGe層和應(yīng)變Ge層中的一個。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述硅連接區(qū)域緩解所述P型第一區(qū)域內(nèi)的應(yīng)變松弛。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一材料包括硅(Si)，并且所述第二材料包括SiGe。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述N型第二區(qū)域提供至所述襯底的低電阻接觸。