[發(fā)明專利]形成具有減少的腐蝕的接觸插塞的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711268936.2
• 申請日: 2017-12-05
• 公開（公告）號: CN108735660B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王喻生;洪奇成;高承遠;邱意為;歐陽良岳;白岳青
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成半導體器件的方法，包括：

形成覆蓋晶體管的柵極堆疊件的層間電介質(zhì)(ILD)，其中，所述層間電介質(zhì)和所述柵極堆疊件是晶圓的部分；

蝕刻所述層間電介質(zhì)以形成第一接觸開口，其中，通過所述第一接觸開口暴露所述晶體管的源極/漏極區(qū)域或所述柵極堆疊件中的柵電極；

形成導電覆蓋層，其中，所述導電覆蓋層延伸至所述第一接觸開口內(nèi)；

將含金屬材料鍍在所述導電覆蓋層上，在鍍液中使用電化學鍍實施所述鍍，其中，所述含金屬材料包括填充所述第一接觸開口的部分，并且所述鍍液具有低于100百萬分率(ppm)的硫含量；以及

對所述晶圓實施平坦化以去除所述含金屬材料的過量部分，其中，所述含金屬材料的剩余部分和所述導電覆蓋層的剩余部分組合形成第一接觸插塞，

其中，所述平坦化在所述第一接觸插塞中產(chǎn)生凹槽，并且所述方法還包括將金屬蓋選擇性地沉積至所述凹槽內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

提供具有所述硫含量的所述鍍液；以及

在所述鍍之前，從所述鍍液去除硫以減小所述鍍液中的硫含量。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述鍍液不含硫。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括，在形成所述導電覆蓋層之前，在所述第一接觸開口中形成介電接觸間隔件。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述層間電介質(zhì)上方形成附加介電層，其中，所述附加介電層和所述層間電介質(zhì)由不同的材料形成，其中，所述第一接觸開口穿透所述附加介電層和所述層間電介質(zhì)，并且所述導電覆蓋層包括覆蓋所述附加介電層的部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

蝕刻層間電介質(zhì)以形成第二接觸開口，其中，通過所述第一接觸開口暴露所述源極/漏極區(qū)域，并且通過所述第二接觸開口暴露所述柵電極，并且同時在所述第一接觸開口和所述第二接觸開口中形成所述導電覆蓋層和所述含金屬材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在所述平坦化之前，對所述含金屬材料實施退火。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述金屬蓋包括：

第一邊緣部分和第二邊緣部分；以及

中間部分，位于所述第一邊緣部分和所述第二邊緣部分之間，所述中間部分的厚度小于所述第一邊緣部分和所述第二邊緣部分。

9.一種形成半導體器件的方法，包括：

形成層間電介質(zhì)(ILD)；

蝕刻所述層間電介質(zhì)以形成第一接觸開口和第二接觸開口，其中，分別通過所述第一接觸開口和所述第二接觸開口暴露晶體管的源極/漏極區(qū)域和柵電極；

沉積延伸至所述第一接觸開口和所述第二接觸開口內(nèi)的金屬層；

沉積導電覆蓋層，其中，所述導電覆蓋層延伸至所述第一接觸開口和所述第二接觸開口內(nèi)；

在鍍液中使用電化學鍍將含金屬材料鍍在所述導電覆蓋層上，其中，所述鍍液不含硫；以及

實施平坦化以去除所述含金屬材料的過量部分，其中，所述含金屬材料的剩余部分和所述導電覆蓋層的剩余部分形成源極/漏極接觸插塞和柵極接觸插塞，

其中，所述平坦化在所述源極/漏極接觸插塞中產(chǎn)生凹槽，并且所述方法還包括將金屬蓋選擇性地沉積至所述凹槽內(nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在不同的蝕刻工藝中形成所述第一接觸開口和所述第二接觸開口。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括，分別將第一介電接觸間隔件和第二介電接觸間隔件沉積至所述第一接觸開口和所述第二接觸開口內(nèi)。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括：

提供包括硫的所述鍍液；以及

從所述鍍液去除所述硫。