[發明專利]基底處理設備

在審

• 申請號: 201711267739.9
• 申請日: 2017-12-05
• 公開（公告）號: CN108155081A
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: 辻直人;村主拓也;池戶洋三
• 申請（專利權）人: ASMIP控股有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J37/20;C23C16/513
• 代理公司: 北京匯信合知識產權代理有限公司 11335
• 代理人: 翟國明

基底處理設備包括：下電極；上電極；第一交流電源，其連接至所述上電極，并且以第一頻率供給交流電力；第二交流電源，其連接至所述上電極，并且以低于所述第一頻率的第二頻率供給交流電力；內電極，其設置在所述下電極中；濾波電路，其連接至所述內電極；以及直流電源，其經由所述濾波電路連接至所述內電極。所述濾波電路包括：第一濾波電路，其相比于處于所述第二頻率的交流電力相對于處于所述第一頻率的交流電力變為低阻抗；以及第二濾波電路，其相比于處于所述第一頻率的交流電力相對于處于所述第二頻率的交流電力變為低阻抗。

技術領域

本發明涉及一種用于諸如薄膜成形的基底處理的基底處理設備。

背景技術

US5366585公開了一種設置有等離子處理反應室的薄膜成形設備。

存在如下的基底處理設備：通過向上電極供給交流電力同時向下電極和上電極之間供給材料氣體而在下電極和上電極之間產生等離子，并且對下電極上的基底施加處理。這樣的基底處理設備要求向下電極施加電壓以使用靜電吸盤將基底吸取至下電極的高電壓直流功率供給。然而，存在如下上述交流電力可能引起對高電壓直流電源的損害的問題。

發明內容

已經做出本發明以解決上述問題，并且本發明的目的為提供一種基底處理設備，其能夠保護靜電吸盤直流電源免于交流電力。

本發明的特征和優點可以總結如下。

根據本發明的一個方案，基底處理設備包括：下電極，其由絕緣體形成；上電極，其與所述下電極相對地設置；第一交流電源，其連接至所述上電極并且以第一頻率供給交流電力；第二交流電源，其連接至所述上電極并且以低于所述第一頻率的第二頻率供給交流電力；內電極，其設置在所述下電極中；濾波電路，其連接至所述內電極；以及直流功率供給部，其經由所述濾波電路連接至所述內電極，所述直流功率供給部設置為用于靜電吸盤，其中，所述濾波電路包括：第一濾波電路，其相比于處于所述第二頻率的交流電力相對于處于所述第一頻率的交流電力成為低阻抗；以及第二濾波電路，其相比于處于所述第一頻率的交流電力相對于處于所述第二頻率的交流電力成為低阻抗。

本發明的其他目的、特征以及優點將從以下描述中更完全地顯現。

附圖說明

圖1為根據第一實施例的基底處理設備的截面圖；

圖2為濾波電路的電路圖；

圖3為簡單表達圖1中的構造的示意圖；

圖4為圖示出電容的阻抗如何根據電容量而改變的表格；

圖5為圖示出根據第二實施例的基底處理設備的濾波電路的示意圖；

圖6為圖示出根據第三實施例的基底處理設備的示意圖；

圖7為圖示出根據第四實施例的基底處理設備的示意圖；以及

圖8為根據變型例的基底處理設備的示意圖。

具體實施方式

將參照附圖描述根據本發明的實施例的基底處理設備。相同或相對應的部件可以分配有相同的附圖標記，并且可以省略重復的描述。

第一實施例

圖1為根據第一實施例的基底處理設備的截面圖?；滋幚碓O備設置有腔室12。由絕緣體形成的下電極14和與下電極14相對設置的上電極16設置在腔室12中。下電極14的材料例如能夠為諸如氮化鋁(AlN)的陶瓷。上電極16設置有狹縫16a。材料氣體經由狹縫16a被供給至下電極14與上電極16之間。

排氣管道20經由O形圈固定至腔室12和上電極16。排氣管道20包圍上電極16與下電極14之間的空間。供給至上電極16與下電極14之間并且用于基底處理的氣體經由排氣管道20被排放至外部。