[發明專利]基底處理設備在審
| 申請號： | 201711267739.9 | 申請日： | 2017-12-05 |
| 公開（公告）號： | CN108155081A | 公開（公告）日： | 2018-06-12 |
| 發明（設計）人： | 辻直人;村主拓也;池戶洋三 | 申請（專利權）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H01J37/20;C23C16/513 |
| 代理公司： | 北京匯信合知識產權代理有限公司 11335 | 代理人： | 翟國明 |
| 地址： | 荷蘭阿*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 交流電力 濾波電路 內電極 電極 基底處理設備 交流電源 低阻抗 下電極 直流電源 | ||
1.一種基底處理設備，包括：
下電極，其由絕緣體形成；
上電極，其與所述下電極相對設置；
第一交流電源，其連接至所述上電極，并且以第一頻率供給交流電力；
第二交流電源，其連接至所述上電極，并且以低于所述第一頻率的第二頻率供給交流電力；
內電極，其設置在所述下電極中；
濾波電路，其連接至所述內電極；以及
直流電源，其經由所述濾波電路連接至所述內電極，所述直流電源設置為用于靜電吸盤，
其中所述濾波電路包括：
第一濾波電路，其相比于處于所述第二頻率的交流電力相對于處于所述第一頻率的交流電力變為低阻抗；以及
第二濾波電路，其相比于處于所述第一頻率的交流電力相對于處于所述第二頻率的交流電力變為低阻抗。
2.根據權利要求1所述的基底處理設備，其中，所述第一濾波電路包括將所述內電極與地面連接的電容器，并且
所述第二濾波電路包括電容器和電感器的串聯電路，所述串聯電路將所述內電極和與地面連接。
3.根據權利要求2所述的基底處理設備，還包括第三濾波電路，其設置在所述內電極與所述直流電源之間，避免將所述內電極和所述第一濾波電路連接的路徑，并且相比于處于所述第一頻率的交流電力相對于處于所述第二頻率的交流電力變為低阻抗。
4.根據權利要求3所述的基底處理設備，其中，所述第三濾波電路為電容器和電感器的并聯電路。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的基底處理設備，
其中，所述第一頻率為13.56MHz，并且
所述第二頻率為100kHz至1000kHz。
6.根據權利要求1至4中任一項所述的基底處理設備，還包括加熱器，其設置在所述內電極中并且加熱所述內電極。
7.根據權利要求2所述的基底處理設備，
其中，通過向所述上電極施加處于所述第一頻率的交流電力以及處于所述第二頻率的交流電力而在所述上電極和所述下電極之間產生等離子，并且
當所述直流電源向所述內電極施加電壓時，所述下電極上的基底靜電地吸附至所述下電極。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于ASMIP控股有限公司，未經ASMIP控股有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711267739.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：等離子體產生裝置及包括該裝置的半導體設備
- 下一篇：真空處理裝置的運轉方法
