[發明專利]像素結構

有效

• 申請號: 201711267191.8
• 申請日: 2017-12-05
• 公開（公告）號: CN109870860B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 康沐楷
• 申請（專利權）人: 瀚宇彩晶股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333;H01L27/12
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種像素結構，其特征在于，包括：

一基板，具有一表面；

一薄膜晶體管，設置在所述基板的所述表面上，且所述薄膜晶體管包括一柵極、一源極、一漏極、一柵極絕緣層以及一半導體主動層，所述柵極、所述源極與所述漏極在垂直于所述表面的方向上分別重疊于一部分的所述半導體主動層，所述柵極絕緣層設置在所述柵極與所述半導體主動層之間，所述半導體主動層具有一信道區，設置在所述源極與所述漏極之間，所述信道區包括一主信道區以及多個次信道區，所述主信道區位于所述次信道區之間，所述主信道區的信道長度小于所述次信道區的信道長度，且所述主信道區的信道長度等于所述信道區的最小信道長度，其中信道長度是指所述信道區由所述漏極到所述源極之間的距離；以及

一共同電極，設置在所述薄膜晶體管上，所述共同電極絕緣于所述薄膜晶體管，所述共同電極覆蓋至少部分的所述次信道區，且所述共同電極具有一開口，暴露出所述主信道區。

2.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述共同電極在所述表面的垂直投影與所述主信道區在所述表面的垂直投影不重疊。

3.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述開口在所述表面的垂直投影位于所述半導體主動層在所述表面的垂直投影內。

4.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述開口暴露出一部分的所述次信道區。

5.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述主信道區在所述表面的垂直投影的邊緣與所述開口在所述表面的垂直投影的邊緣之間的距離小于或等于2微米。

6.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，還包括：

一像素電極，設置在所述柵極絕緣層上，所述像素電極電連接到所述薄膜晶體管的所述漏極；以及

一第一絕緣層，并設置在所述像素電極與所述共同電極之間。

7.如權利要求6所述的像素結構，其特征在于，所述共同電極設置在所述第一絕緣層與所述像素電極上。

8.如權利要求6所述的像素結構，其特征在于，還包括一第二絕緣層，所述第二絕緣層設置在所述像素電極與所述柵極絕緣層之間，并設置在所述共同電極與所述柵極絕緣層之間。

9.如權利要求8所述的像素結構，其特征在于，所述像素電極設置在所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間，所述共同電極設置在所述第一絕緣層與所述像素電極上。

10.如權利要求8所述的像素結構，其特征在于，所述共同電極設置在所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間，所述像素電極設置在所述第一絕緣層與所述共同電極上。

11.如權利要求8所述的像素結構，其特征在于，所述第一絕緣層與所述第二絕緣層分別包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

12.如權利要求11所述的像素結構，其特征在于，所述第二絕緣層還包括有機絕緣材料。

13.如權利要求6所述的像素結構，其特征在于，所述半導體主動層為氧化銦鎵鋅，所述第一絕緣層靠近所述半導體主動層的位置的氧含量高于所述第一絕緣層遠離所述半導體主動層的位置的氧含量。

14.如權利要求6所述的像素結構，其特征在于，所述共同電極或所述像素電極具有多條狹縫。