[發(fā)明專利]像素結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711267191.8
• 申請(qǐng)日: 2017-12-05
• 公開（公告）號(hào): CN109870860B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 康沐楷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瀚宇彩晶股份有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333;H01L27/12
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

本發(fā)明公開了一種像素結(jié)構(gòu)，其包括基板、薄膜晶體管以及共同電極。薄膜晶體管設(shè)置在基板上，且薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極、柵極絕緣層以及半導(dǎo)體主動(dòng)層，柵極、源極與漏極分別重疊于一部分的半導(dǎo)體主動(dòng)層，柵極絕緣層設(shè)置在柵極與半導(dǎo)體主動(dòng)層之間，半導(dǎo)體主動(dòng)層具有信道區(qū)，設(shè)置在源極與漏極之間，信道區(qū)包括主信道區(qū)以及多個(gè)次信道區(qū)，主信道區(qū)位于次信道區(qū)之間，主信道區(qū)的信道長度小于次信道區(qū)的信道長度，且主信道區(qū)的信道長度等于信道區(qū)的最小信道長度，其中信道長度是指信道區(qū)由漏極到源極之間的距離。共同電極設(shè)置在薄膜晶體管上，共同電極覆蓋至少部分的次信道區(qū)，且共同電極具有一開口，暴露出主信道區(qū)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種可降低漏電流的像素結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

液晶顯示屏由于具有外型輕薄、耗電量少以及無輻射污染等特性，因此已被廣泛地應(yīng)用在各式電子產(chǎn)品例如筆記本計(jì)算機(jī)(notebook)、智能型手機(jī)(smart phone)、手表以及車用顯示屏等，以提供更方便的信息傳遞與顯示。一般而言，顯示屏中會(huì)具有多個(gè)像素，用以提供不同顏色或不同亮度的色光，以作為畫面顯示的基本單元并達(dá)到顯示畫面的功能。

在像素的結(jié)構(gòu)中，一般會(huì)利用薄膜晶體管(thin film transistor,TFT)作為控制像素變換亮度的開關(guān)。然而，現(xiàn)有薄膜晶體管在實(shí)際操作中會(huì)伴隨有漏電的情況，進(jìn)而導(dǎo)致顯示屏所顯示的畫面異常，例如閃爍、串?dāng)_(crosstalk)，據(jù)此，須對(duì)像素中的漏電情況進(jìn)行改善。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，其透過將透明導(dǎo)電層覆蓋至少部分的半導(dǎo)體主動(dòng)層，并提供適當(dāng)?shù)碾妷阂越档拖袼亟Y(jié)構(gòu)中的漏電流。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種像素結(jié)構(gòu)，其包括基板、薄膜晶體管以及共同電極。基板具有一表面。薄膜晶體管設(shè)置在基板的表面上，且薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極、柵極絕緣層以及半導(dǎo)體主動(dòng)層，柵極、源極與漏極在垂直于表面的方向上分別重疊于一部分的半導(dǎo)體主動(dòng)層，柵極絕緣層設(shè)置在柵極與半導(dǎo)體主動(dòng)層之間，半導(dǎo)體主動(dòng)層具有信道區(qū)，設(shè)置在源極與漏極之間，信道區(qū)包括主信道區(qū)以及多個(gè)次信道區(qū)，主信道區(qū)位于次信道區(qū)之間，主信道區(qū)的信道長度小于次信道區(qū)的信道長度，且主信道區(qū)的信道長度等于信道區(qū)的最小信道長度，其中信道長度是指信道區(qū)由漏極到源極之間的距離。共同電極設(shè)置在薄膜晶體管上，共同電極覆蓋至少部分的次信道區(qū)，且共同電極具有一開口，暴露出主信道區(qū)。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供了另一種像素結(jié)構(gòu)，其包括第一基板、薄膜晶體管、第一透明導(dǎo)電層、第二基板以及液晶層。第一基板具有一表面。薄膜晶體管設(shè)置在第一基板的表面上，且薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極、柵極絕緣層以及半導(dǎo)體主動(dòng)層，柵極、源極與漏極在垂直于表面的方向上分別重疊于一部分的半導(dǎo)體主動(dòng)層，柵極絕緣層設(shè)置在柵極與半導(dǎo)體主動(dòng)層之間，半導(dǎo)體主動(dòng)層具有信道區(qū)，設(shè)置在源極與漏極之間，信道區(qū)包括主信道區(qū)以及多個(gè)次信道區(qū)，主信道區(qū)位于次信道區(qū)之間，主信道區(qū)的信道長度小于次信道區(qū)的信道長度，且主信道區(qū)的信道長度等于信道區(qū)的最小信道長度，其中信道長度是指信道區(qū)由漏極到源極之間的距離。第一透明導(dǎo)電層設(shè)置在薄膜晶體管上，第一透明導(dǎo)電層覆蓋至少部分的次信道區(qū)，且第一透明導(dǎo)電層具有一開口，暴露出主信道區(qū)。第二基板設(shè)置于第一基板的表面上方。液晶層設(shè)置于第一基板和第二基板之間。

本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)由于其共同電極具有用以暴露出主信道區(qū)的開口，且共同電極覆蓋至少部分的次信道區(qū)，因此，在此設(shè)置下，當(dāng)共同電極被提供共同電壓時(shí)，由于共同電極并未覆蓋主信道區(qū)，因此共同電極并不會(huì)大幅影響薄膜晶體管開啟時(shí)的阻值。另一方面，當(dāng)薄膜晶體管關(guān)閉時(shí)，由于共同電極覆蓋至少部分的次信道區(qū)，因此，對(duì)應(yīng)被共同電極所覆蓋的次信道區(qū)的背信道區(qū)會(huì)被共同電壓所感應(yīng)而使得關(guān)閉效果提升，借此降低漏電流。

附圖說明

圖1所示為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的部分俯視示意圖。

圖2所示為圖1的部分放大示意圖。

圖3所示為沿著圖1中AA’與BB’剖線的剖面示意圖。