[發明專利]發光顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201711267179.7 | 申請日: | 2017-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN108231834B | 公開(公告)日: | 2021-11-05 |
| 發明(設計)人: | 金鐘成;金豪鎮;白承旼 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
公開了一種發光顯示裝置及其制造方法,其防止發光層的壽命縮短并且防止導通缺陷發生。該發光顯示裝置包括多個像素,所述多個像素各自包括:晶體管,所述晶體管具有柵極、與所述柵極交疊的有源層、連接到所述有源層的一側的源極、以及連接到所述有源層的另一側的漏極。所述多個像素還包括發光器件,所述發光器件具有第一電極、設置在所述第一電極上的發光層以及設置在所述發光層上的第二電極。所述發光顯示裝置包括接觸孔,所述多個像素中的至少兩個像素的第一電極在所述接觸孔中電連接到相應源極的側表面或相應漏極的側表面。
技術領域
本公開涉及一種發光顯示裝置及其制造方法。
背景技術
隨著信息化社會的發展,對用于顯示圖像的顯示裝置的各種需求不斷增加。因此,近來正在使用諸如液晶顯示(LCD)裝置、等離子體顯示面板(PDP)裝置、發光顯示裝置等的各種顯示裝置。
包括有機發光顯示裝置的發光顯示裝置是自發光顯示裝置,并且在視角和對比度方面比LCD裝置好。另外,由于有機發光顯示裝置不需要單獨的背光,因此可以使有機發光顯示裝置變輕并變薄,并且有機發光顯示裝置的功耗優異。此外,有機發光顯示裝置以低的直流(DC)電壓驅動,響應時間快,并且制造成本低。
有機發光顯示裝置各自包括陽極,劃分陽極的堤,形成在陽極上的空穴傳輸層、有機發光層和電子傳輸層,以及形成在電子傳輸層上的陰極。在這種情況下,當向陽極施加高電平電壓并且向陰極施加低電平電壓時,空穴和電子分別通過空穴傳輸層和電子傳輸層移動到有機發光層并且在有機發光層中彼此復合以發光。
在有機發光顯示裝置中,在依次層疊有陽極、有機發光層和陰極的相應區域中形成發光的像素。在不發光的相應非發光區域中設置堤。也就是說,該堤用作限定像素的像素限定層。
陽極通過接觸孔與薄膜晶體管(TFT)的源極或漏極連接,并通過TFT被提供以高電平電壓。由于接觸孔的臺階高度,有機發光層難以均勻地沉積在接觸孔中,因此,有機發光層被堤覆蓋而沒有形成在接觸孔中。
近來,正在開發包括有機發光顯示裝置的頭戴式顯示器。頭戴式顯示器是用于虛擬現實(VR)或增強現實(AR)的監視器裝置,它們被佩戴為眼鏡式或頭盔式,并在靠近用戶眼睛的距離處形成焦點。應用于頭戴式顯示器、移動裝置等的小型有機發光顯示裝置具有高分辨率,因此每個像素的尺寸逐漸減小。
然而,接觸孔通過光刻工藝形成,并且由于光刻工藝的限制,接觸孔不能被形成為具有一定尺寸或更小尺寸。也就是說,雖然像素的尺寸減小,但是在減小接觸孔的尺寸方面存在限制。具體地,接觸孔設置在非發光區域中,因此,當像素的尺寸減小時,像素中的非發光區域的面積比增加,而像素中的發光區域的面積比減小。如果像素中的發光區域的面積比減小,那么應當增加發光區域的亮度,以便補償發光區域的減小的比例,為此,縮短了有機發光層的壽命。
此外,如果像素的尺寸減小,則TFT的源極或漏極的尺寸會變得小于接觸孔的尺寸。在這種情況下,陽極不僅僅形成在通過接觸孔暴露的源極或漏極的上表面上,并且可形成在接觸孔的底部和源極或漏極的側表面上。因此,如圖1A和圖1B所示。由于接觸孔的底部與源極或漏極之間的臺階高度,陽極會在源極或漏極的側表面中斷開。因此,會發生像素不發光的導通缺陷。
發明內容
因此,本公開旨在提供一種發光顯示裝置及其制造方法,其基本上消除了由于現有技術的限制和缺點而導致的一個或更多個問題。
本公開的一個方面旨在提供一種防止發光層的壽命縮短的發光顯示裝置及其制造方法。
本公開的另一方面旨在提供一種防止發生導通缺陷的發光顯示裝置及其制造方法。
本公開的另外的優點和特征將在下面的描述中被部分地闡述,并且對于本領域普通技術人員而言在查閱下文之后部分地將變得明顯或者可從本公開的實踐而得知。通過在書面描述及其權利要求以及附圖中具體指出的結構可實現并獲得本公開的目的和其它優點。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





