[發(fā)明專利]發(fā)光顯示裝置及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711267179.7 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108231834B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-11-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金鐘成;金豪鎮(zhèn);白承旼 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 樂(lè)金顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;劉久亮 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光顯示裝置,該發(fā)光顯示裝置包括:
多個(gè)像素,所述多個(gè)像素中的每一個(gè)包括:
晶體管,所述晶體管具有柵極、與所述柵極交疊的有源層、連接到所述有源層的一側(cè)的源極以及連接到所述有源層的另一側(cè)的漏極;以及
發(fā)光器件,所述發(fā)光器件具有第一電極、設(shè)置在所述第一電極上的發(fā)光層以及設(shè)置在所述發(fā)光層上的第二電極;以及
接觸孔,所述多個(gè)像素中的至少兩個(gè)像素的第一電極在所述接觸孔中電連接到相應(yīng)源極的側(cè)表面或相應(yīng)漏極的側(cè)表面,
其中,所述接觸孔被底切以使所述相應(yīng)源極或所述相應(yīng)漏極的下表面暴露。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置,其中,所述接觸孔包括具有第一寬度的入口、具有第二寬度的底部以及位于所述入口與所述底部之間并具有第三寬度的接觸區(qū)域,所述至少兩個(gè)像素的第一電極在所述接觸區(qū)域中電連接到所述相應(yīng)源極或所述相應(yīng)漏極,所述第三寬度小于所述第一寬度和所述第二寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光顯示裝置,該發(fā)光顯示裝置還包括:
虛擬電極,所述虛擬電極被設(shè)置在所述接觸孔的底部上,所述虛擬電極與所述至少兩個(gè)像素的第一電極斷開(kāi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光顯示裝置,其中,所述虛擬電極和所述至少兩個(gè)像素的第一電極由相同的材料形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光顯示裝置,該發(fā)光顯示裝置還包括:堤,所述堤位于所述接觸孔的所述底部、所述接觸區(qū)域和所述入口中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置,該發(fā)光顯示裝置還包括:堤,所述堤至少部分地填充所述接觸孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光顯示裝置,該發(fā)光顯示裝置還包括:第一平整層,所述第一平整層位于所述第一電極與所述源極和所述漏極中的至少一個(gè)之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光顯示裝置,該發(fā)光顯示裝置還包括:虛擬電極,所述虛擬電極位于所述接觸孔中的層間電介質(zhì)上,并且所述層間電介質(zhì)在第一平整層下方。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光顯示裝置,其中,所述虛擬電極在所述接觸孔中與所述層間電介質(zhì)的側(cè)表面的第一部分接觸,并且所述堤在所述接觸孔中與所述層間電介質(zhì)的側(cè)表面的位于所述虛擬電極與所述源極或所述漏極之間的第二部分接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置,其中,所述晶體管還包括:柵極絕緣層,所述柵極絕緣層被設(shè)置在所述有源層與所述柵極之間;層間電介質(zhì),所述層間電介質(zhì)被設(shè)置在所述柵極與所述源極之間以及所述柵極與所述漏極之間;以及第一平整層,所述第一平整層被設(shè)置在所述源極和所述漏極上,并且
所述接觸孔延伸穿過(guò)所述第一平整層并且至少部分地延伸到所述層間電介質(zhì)中。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置,其中,所述至少兩個(gè)像素包括:第一像素;第二像素,所述第二像素沿第一方向與所述第一像素相鄰;第三像素,所述第三像素沿與所述第一方向橫切的第二方向與所述第一像素相鄰;以及第四像素,所述第四像素沿所述第一方向與所述第三像素相鄰且沿所述第二方向與所述第二像素相鄰。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置,其中,所述至少兩個(gè)像素包括:第一像素;第二像素,所述第二像素沿第一方向與所述第一像素相鄰;以及第三像素,所述第三像素沿與所述第一方向橫切的第二方向與所述第一像素或所述第二像素中的一個(gè)相鄰。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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