[發明專利]同位素中子源裝置

在審

• 申請號: 201711264428.7
• 申請日: 2017-12-04
• 公開（公告）號: CN107993735A
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發明（設計）人: 王廣西;劉丙巖;賴萬昌;葛良全;李丹;翟娟;楊強
• 申請（專利權）人: 成都理工大學
• 主分類號: G21G4/02
• 分類號: G21G4/02
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙)11371
• 代理人: 蘇勝

技術領域

本發明涉及核技術領域，具體而言，涉及一種同位素中子源裝置。

背景技術

中子源是能夠產生中子的裝置，進行中子核反應、中子衍射等中子物理實驗的必要設備。要用中子研究物質的結構，必須有一個適當的中子源。最早使用的是放射性同位素中子源，現有的中子源發生裝置的制造采用將放射a射線的²³⁸Pu、²²⁶Ra或²⁴¹Am同金屬鈹粉末按一定比例均勻混合壓制成小圓柱體密封在金屬殼中。

發明內容

本發明實施例的目的在于提供一種可以調節中子源強度的同位素中子源裝置。

為了達到上述的目的，本發明實施例采用的技術方案如下所述：

一種同位素中子源裝置，所述裝置包括控制器、電機、轉軸、殼體和多個中子源發生片，所述控制器與所述電機電連接，所述多個中子源發生片內置于所述殼體，每個中子源發生片的表面均包括Be區和241Am區，所述轉軸的一端伸入所述殼體并依次穿過所述多個中子源發生片，所述轉軸的另一端與所述電機連接，所述電機被配置為響應所述控制器的控制帶動所述轉軸轉動，所述轉軸被配置為在轉動時帶動所述多個中子源發生片中的部分中子源發生片轉動。

進一步地，所述多個中子源發生片包括轉動片和固定片，所述轉動片和所述固定片均設置有通孔，所述轉軸穿過每一個中子源發生片的通孔，所述轉軸與每個轉動片連接。

進一步地，所述轉動片的通孔的邊緣沿與所述轉動片平行的方向突出形成有凸部，所述轉軸的側壁與所述凸部對應的位置內凹形成有凹部，所述轉動片的凸部與所述轉軸的凹部配合，所述凸部容置于所述凹部中。

進一步地，所述轉動片的通孔的邊緣沿與所述轉動片平行的方向內凹形成有凹部，所述轉軸的側壁與所述凹部對應的位置外突形成有凸部，所述轉動片的凹部與所述轉軸的凸部配合，所述凸部容置于所述凹部中。

進一步地，所述殼體的內側壁內凹形成有凹陷部，所述固定片的外邊緣突出形成有凸出部，所述凸出部與所述凹陷部配合，所述凸出部容置于所述凹陷部中。

進一步地，所述殼體的內側壁突出形成有凸出部，所述固定片的外邊緣內凹形成有凹陷部，所述凸出部與所述凹陷部配合，所述凸出部容置于所述凹陷部中。

進一步地，每個中子源發生片的表面向外凸起形成有安裝部，所述多個中子源發生片依次堆疊在一起，相鄰的兩個所述中子源發生片之間通過所述安裝部隔開。

進一步地，所述中子源發生片的表面沿所述安裝部的外圍設置所述Be區和241Am區，所述Be區和241Am區相對于所述安裝部對稱設置，依次堆疊的中子源發生片中，位于兩端的中子源發生片的安裝部通過銷釘與所述轉軸固定。

進一步地，每個中子源發生片均大致呈圓形，所述安裝部包圍所述通孔，所述安裝部圍成中空的圓柱狀。

進一步地，所述Be區和241Am區均呈扇形分布，所述Be區和241Am區互不接觸，所述中子源發生片為不銹鋼片。

本發明實施例的有益效果：

本發明實施例提供的同位素中子源裝置通過控制器控制電機轉動帶動轉軸轉動，通過轉軸帶動中子源發生片轉動，從而改變各個中子源發生片之間Be區和²⁴¹Am區的重疊區域的面積，達到改變同位素中子源強度的目的，操作方便，結構簡單，成本低，實用性高。

為使本發明的上述目的、特征和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細說明如下。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，應當理解，以下附圖僅示出了本發明的某些實施例，因此不應被看作是對范圍的限定，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他相關的附圖。

圖1是現有技術提供的同位素中子源發生裝置的結構示意圖。

圖2是本發明實施例提供的同位素中子源裝置的結構示意圖。

圖3是本發明實施例提供的同位素中子源裝置的轉動片的一種實施方式的結構示意圖。

圖4是本發明實施例提供的同位素中子源裝置的轉軸的一種實施方式的結構示意圖。

圖5是本發明實施例提供的同位素中子源裝置的固定片的一種實施方式的結構示意圖。

圖6是本發明實施例提供的同位素中子源裝置的殼體的一種實施方式結構示意圖。

圖7是本發明實施例提供的同位素中子源裝置的固定片的另一種實施方式的結構示意圖。