[發明專利]同位素中子源裝置

在審

• 申請號: 201711264428.7
• 申請日: 2017-12-04
• 公開（公告）號: CN107993735A
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發明（設計）人: 王廣西;劉丙巖;賴萬昌;葛良全;李丹;翟娟;楊強
• 申請（專利權）人: 成都理工大學
• 主分類號: G21G4/02
• 分類號: G21G4/02
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙)11371
• 代理人: 蘇勝

1.一種同位素中子源裝置，其特征在于，所述裝置包括控制器、電機、轉軸、殼體和多個中子源發生片，所述控制器與所述電機電連接，所述多個中子源發生片內置于所述殼體，每個中子源發生片的表面均包括Be區和²⁴¹Am區，所述轉軸的一端伸入所述殼體并依次穿過所述多個中子源發生片，所述轉軸的另一端與所述電機連接，所述電機被配置為響應所述控制器的控制帶動所述轉軸轉動，所述轉軸被配置為在轉動時帶動所述多個中子源發生片中的部分中子源發生片轉動。

2.根據權利要求1所述的同位素中子源裝置，其特征在于，所述多個中子源發生片包括轉動片和固定片，所述轉動片和所述固定片均設置有通孔，所述轉軸穿過每一個中子源發生片的通孔，所述轉軸與每個轉動片連接。

3.根據權利要求2所述的同位素中子源裝置，其特征在于，所述轉動片的通孔的邊緣沿與所述轉動片平行的方向突出形成有凸部，所述轉軸的側壁與所述凸部對應的位置內凹形成有凹部，所述轉動片的凸部與所述轉軸的凹部配合，所述凸部容置于所述凹部中。

4.根據權利要求2所述的同位素中子源裝置，其特征在于，所述轉動片的通孔的邊緣沿與所述轉動片平行的方向內凹形成有凹部，所述轉軸的側壁與所述凹部對應的位置外突形成有凸部，所述轉動片的凹部與所述轉軸的凸部配合，所述凸部容置于所述凹部中。

5.根據權利要求2-4任一項所述的同位素中子源裝置，其特征在于，所述殼體的內側壁內凹形成有凹陷部，所述固定片的外邊緣突出形成有凸出部，所述凸出部與所述凹陷部配合，所述凸出部容置于所述凹陷部中。

6.根據權利要求2-4任一項所述的同位素中子源裝置，其特征在于，所述殼體的內側壁突出形成有凸出部，所述固定片的外邊緣內凹形成有凹陷部，所述凸出部與所述凹陷部配合，所述凸出部容置于所述凹陷部中。

7.根據權利要求2-4任一項所述的同位素中子源裝置，其特征在于，每個中子源發生片的表面向外凸起形成有安裝部，所述多個中子源發生片依次堆疊在一起，相鄰的兩個所述中子源發生片之間通過所述安裝部隔開。

8.根據權利要求7所述的同位素中子源裝置，其特征在于，所述中子源發生片的表面沿所述安裝部的外圍設置所述Be區和²⁴¹Am區，所述Be區和²⁴¹Am區相對于所述安裝部對稱設置，依次堆疊的中子源發生片中，位于兩端的中子源發生片的安裝部通過銷釘與所述轉軸固定。

9.根據權利要求8所述的同位素中子源裝置，其特征在于，每個中子源發生片均大致呈圓形，所述安裝部包圍所述通孔，所述安裝部圍成中空的圓柱狀。

10.根據權利要求9所述的同位素中子源裝置，其特征在于，所述Be區和²⁴¹Am區均呈扇形分布，所述Be區和²⁴¹Am區互不接觸，所述中子源發生片為不銹鋼片。