[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711261061.3
• 申請(qǐng)日: 2017-12-04
• 公開（公告）號(hào): CN108155213A
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹海榮;曹正鉉;金埈永
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 梁洪源;康泉

本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。該有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括：在保護(hù)層上的第一電極；在保護(hù)層上并且限定開口的像素限定層，開口暴露第一電極的至少一部分；在第一電極上的有機(jī)發(fā)光層；以及在有機(jī)發(fā)光層上的第二電極。保護(hù)層具有與開口重疊的凹槽部分，并且凹槽部分在平面上與開口的邊緣間隔開。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

2016年12月2日遞交且名稱為“有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法”的韓國專利申請(qǐng)第10-2016-0163690號(hào)通過引用整體合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本文描述的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例涉及有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置具有低功耗、高亮度以及高響應(yīng)速度。一種類型的OLED顯示裝置具有包括OLED的多層結(jié)構(gòu)。此類結(jié)構(gòu)可根據(jù)視角產(chǎn)生色移，這會(huì)降低顯示質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，包括：基板；在基板上的保護(hù)層；在保護(hù)層上的第一電極；在保護(hù)層上并且限定開口的像素限定層，開口暴露第一電極的至少一部分；在第一電極上的有機(jī)發(fā)光層；以及在有機(jī)發(fā)光層上的第二電極，其中保護(hù)層具有與開口重疊的凹槽部分，并且其中凹槽部分在平面上與開口的邊緣間隔開。

在保護(hù)層與像素限定層重疊的邊界處，保護(hù)層相對(duì)于基板的表面可具有相等的高度。在保護(hù)層與像素限定層重疊的邊界處，保護(hù)層的高度和基板的表面的高度之間的差可約為0.1μm或者更小。開口的邊緣相對(duì)于基板的表面可具有相等的高度。開口的邊緣的高度與基板的表面的高度之間的差可約為0.1μm或者更小。凹槽部分可與開口的邊緣間隔開約0.5μm至約5.0μm。凹槽部分可在平面上與開口的邊緣間隔開約0.5μm至約2.0μm。

凹槽部分的邊緣的至少一部分可平行于開口邊緣。凹槽部分可具有從約1.0μm至約2.0μm的范圍的寬度。凹槽部分可具有從約0.2μm至約1.0μm的范圍的深度。凹槽部分可具有從約0.3μm至約0.7μm的范圍的深度。

顯示裝置可包括基板與保護(hù)層之間的薄膜晶體管，其中第一電極通過保護(hù)層中的接觸孔與薄膜晶體管接觸，并且其中凹槽部分的深度小于接觸孔的深度。保護(hù)層可包括以從約1μm至約6μm的范圍的間距設(shè)置的多個(gè)凹槽部分。凹槽部分中的每一個(gè)可具有線平面形狀。凹槽部分可彼此平行。凹槽部分可處于徑向方向上。凹槽部分中的每一個(gè)可具有點(diǎn)平面形狀。凹槽部分可具有不同深度。顯示裝置可包括像素限定層上的間隔物。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，一種用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的方法，包括：在基板上施加光敏材料以形成光敏材料層；圖案化光敏材料層以形成具有凹槽部分的保護(hù)層；在保護(hù)層上形成第一電極并覆蓋凹槽部分；在保護(hù)層上形成像素限定層，像素限定層限定開口，開口暴露第一電極的至少一部分；在第一電極的開口處形成發(fā)光層；以及在發(fā)光層上形成第二電極，其中凹槽部分與開口重疊并且在平面上與開口的邊緣間隔開。

在保護(hù)層與像素限定層重疊的邊界處，保護(hù)層相對(duì)于基板的表面可具有相等的高度。在保護(hù)層與像素限定層重疊的邊界處，保護(hù)層的高度和基板的表面的高度之間的差可約為0.1μm或者更小。形成保護(hù)層可包括：圖案化光敏材料層，并且然后熱固化圖案化后的光敏材料層。

附圖說明

通過參照附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施例，各特征將對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員變得顯而易見，附圖中：

圖1圖示像素的實(shí)施例；

圖2圖示像素的電路圖實(shí)施例；

圖3圖示沿圖1中的線I-I’截取的剖視圖；

圖4A圖示第一電極和開口的實(shí)施例，并且圖4B圖示第一電極下方的凹槽部分的實(shí)施例；

圖5A和5B圖示包括第一電極、開口和凹槽部分的另一實(shí)施例；