[發明專利]有機發光二極管顯示裝置在審
| 申請號: | 201711261061.3 | 申請日: | 2017-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN108155213A | 公開(公告)日: | 2018-06-12 |
| 發明(設計)人: | 尹海榮;曹正鉉;金埈永 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 梁洪源;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機發光二極管顯示裝置 第一電極 保護層 有機發光層 開口 像素限定層 邊緣間隔 第二電極 限定開口 暴露 | ||
1.一種有機發光二極管顯示裝置,包括:
基板;
在所述基板上的保護層;
在所述保護層上的第一電極;
在所述保護層上并且限定開口的像素限定層,所述開口暴露所述第一電極的至少一部分;
在所述第一電極上的有機發光層;以及
在所述有機發光層上的第二電極,其中所述保護層具有與所述開口重疊的凹槽部分,并且其中所述凹槽部分在平面上與所述開口的邊緣間隔開。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中在所述保護層與所述像素限定層重疊的邊界處,所述保護層相對于所述基板的表面具有相等的高度。
3.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中在所述保護層與所述像素限定層重疊的邊界處,所述保護層的高度和所述基板的表面的高度之間的差為0.1μm或更小。
4.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中所述開口的所述邊緣相對于所述基板的表面具有相等的高度。
5.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中所述開口的所述邊緣的高度與所述基板的表面的高度之間的差為0.1μm或更小。
6.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中所述凹槽部分與所述開口的所述邊緣間隔開0.5μm至5.0μm。
7.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中所述凹槽部分在平面上與所述開口的所述邊緣間隔開0.5μm至2.0μm。
8.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中所述凹槽部分的邊緣的至少一部分平行于所述開口的所述邊緣。
9.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中所述凹槽部分具有從1.0μm至2.0μm的范圍的寬度。
10.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中所述凹槽部分具有從0.2μm至1.0μm的范圍的深度。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星顯示有限公司,未經三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711261061.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:顯示裝置
- 下一篇:具有任意形狀的顯示裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





