[發明專利]射頻開關器件

在審

• 申請號: 201711258858.8
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN108110004A
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發明（設計）人: 劉張李
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/417
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

本發明提供了一種射頻開關器件，在所述基底的部分區域上，所述源金屬層和所述漏金屬層位于不同層，通過所述源金屬層和所述柵極結構減小正對面積而減小了器件的等效關態電容，可以理解為，由于減小了部分晶體管的電容從而減小了器件的等效關態電容，提高了器件的優值。同時，由于基底的部分區域所述源金屬層和所述漏金屬層位于不同層，在基底剩余的區域上，所述源金屬層和所述漏金屬層依然位于同一層，器件的等效導通電阻并未增大很多。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種射頻開關器件。

背景技術

射頻開關器件是一種用于通訊領域信號開關的器件，具有結構簡單，使用范圍廣，成本低，耗電低，易于安裝，可靠性極高等優點，可廣泛用于載波電話切換，有線電視信號切換，有線電視信號開關等領域，在其工作時，部分區域處于導通狀態，部分區域處于關斷狀態。

優值(Figure of Merit，簡稱FOM)是評價射頻開關器件的性能或者工藝的特征測試參數。FOM＝Ron*Coff，其中，Ron是器件柵極電壓等于器件處于導通狀態時的等效電阻值，Coff是器件處于關斷狀態時的等效電容值。優值越低則表示器件的性能越好。

然而，現有的射頻開關器件的性能有待提高。

發明內容

本發明的目的在于提供一種射頻開關器件，在等效導通電阻上升不太多的情況下等效減小關態電容，以提升射頻開關器件的性能。

為了達到上述目的，本發明提供了一種射頻開關器件，包括：

基底；

柵極結構，所述柵極結構位于所述基底上；

源區和漏區，所述源區和漏區分別位于所述柵極結構兩側的基底中；

源金屬層和漏金屬層，所述源金屬層和所述漏金屬層均位于所述柵極結構的上層，并且，所述源金屬層以及所述漏金屬層通過插塞與所述源區和所述漏區連接；

在所述基底的部分區域上，所述源金屬層和所述漏金屬層位于不同層。

可選的，所述源金屬層、漏金屬層及柵極結構的數量均為多個；并且，所述源金屬層、漏金屬層及柵極結構的數量相匹配。

可選的，所述源金屬層、漏金屬層及柵極結構呈條狀，每條源金屬層、每條漏金屬層及每條柵極結構相互平行。

可選的，所述源金屬層和所述漏金屬層交替排布，每條源金屬層和每條漏金屬層之間排布有柵極結構。

可選的，所述射頻開關器件還包括柵連接件、源連接件和漏連接件，所述柵連接件與各條柵極結構的同一側的端部連接；所述源連接件與各條源金屬層的同一側的一端連接；所述漏連接件與各條漏金屬層的同一側的一端連接。

可選的，所述柵連接件和所述柵極結構構成梳狀柵結構，所述梳狀柵結構的每條梳齒對應每條柵極結構；所述源連接件和所述源金屬層構成梳狀源結構，所述梳狀源結構的每條梳齒對應每條源金屬層；所述漏連接件和所述漏金屬層構成梳狀漏結構，所述梳狀漏結構的每條梳齒對應每條漏金屬層。

可選的，所述柵極結構包括柵介質層及形成于柵介質層上的柵電極。

可選的，所述柵介質層的材料包括氧化硅，所述柵電極的材料包括多晶硅。

可選的，所述基底包括絕緣體上硅。

可選的，所述源金屬層或所述漏金屬層的材料包括銅、鋁或銅鋁合金。

發明人研究發現，在現有射頻開關器件中，由于所述源金屬層和所述漏金屬層處于同一層，晶體管源漏之間將形成平板電容，而這個平板電容的容值將影響射頻開關器件的等效關態電容Coff，發明人進一步發現，所述源金屬層和所述柵極結構的正對面積越大，等效關態電容的容值越大。