[發(fā)明專利]射頻開關器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711258858.8
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN108110004A
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發(fā)明（設計）人: 劉張李
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/417
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種射頻開關器件，其特征在于，包括：

基底；

柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述基底上；

源區(qū)和漏區(qū)，所述源區(qū)和漏區(qū)分別位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的基底中；

源金屬層和漏金屬層，所述源金屬層和所述漏金屬層均位于所述柵極結(jié)構(gòu)的上層，并且，所述源金屬層以及所述漏金屬層通過插塞與所述源區(qū)和所述漏區(qū)連接；

在所述基底的部分區(qū)域上，所述源金屬層和所述漏金屬層位于不同層。

2.如權(quán)利要求1所述的射頻開關器件，其特征在于，所述源金屬層、漏金屬層及柵極結(jié)構(gòu)的數(shù)量均為多個；并且，所述源金屬層、漏金屬層的數(shù)量相匹配。

3.如權(quán)利要求2所述的射頻開關器件，其特征在于，所述源金屬層、漏金屬層及柵極結(jié)構(gòu)呈條狀，每條源金屬層、每條漏金屬層及每條柵極結(jié)構(gòu)相互平行。

4.如權(quán)利要求3所述的射頻開關器件，其特征在于，所述源金屬層和所述漏金屬層交替排布，每條源金屬層和每條漏金屬層之間排布有柵極結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求4所述的射頻開關器件，其特征在于，所述射頻開關器件還包括柵連接件、源連接件和漏連接件，所述柵連接件與各條柵極結(jié)構(gòu)的同一側(cè)的端部連接；所述源連接件與各條源金屬層的同一側(cè)的一端連接；所述漏連接件與各條漏金屬層的同一側(cè)的一端連接。

6.如權(quán)利要求5所述的射頻開關器件，其特征在于，所述柵連接件和所述柵極結(jié)構(gòu)構(gòu)成梳狀柵結(jié)構(gòu)，所述梳狀柵結(jié)構(gòu)的每條梳齒對應每條柵極結(jié)構(gòu)；所述源連接件和所述源金屬層構(gòu)成梳狀源結(jié)構(gòu)，所述梳狀源結(jié)構(gòu)的每條梳齒對應每條源金屬層；所述漏連接件和所述漏金屬層構(gòu)成梳狀漏結(jié)構(gòu)，所述梳狀漏結(jié)構(gòu)的每條梳齒對應每條漏金屬層。

7.如權(quán)利要求1所述的射頻開關器件，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵介質(zhì)層及形成于柵介質(zhì)層上的柵電極。

8.如權(quán)利要求7所述的射頻開關器件，其特征在于，所述柵介質(zhì)層的材料包括氧化硅，所述柵電極的材料包括多晶硅。

9.如權(quán)利要求1所述的射頻開關器件，其特征在于，所述基底包括絕緣體上硅。

10.如權(quán)利要求1所述的射頻開關器件，其特征在于，所述源金屬層或所述漏金屬層的材料包括銅、鋁或銅鋁合金。