[發明專利]一種使用接地啞元的MRAM芯片有效
| 申請號： | 201711251087.X | 申請日： | 2017-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN109873009B | 公開（公告）日： | 2023-09-22 |
| 發明（設計）人： | 戴瑾;陳俊 | 申請（專利權）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分類號： | H10B61/00 | 分類號： | H10B61/00;H10N50/10;H10N50/80 |
| 代理公司： | 上海容慧專利代理事務所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于曉菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 使用 接地 mram 芯片 | ||
【權利要求書】：
1.一種使用接地啞元的MRAM芯片，所述MRAM芯片包括MRAM芯片本體和接地啞元，其特征在于，所述接地啞元包括啞元和通孔，所述啞元通過所述通孔接地；其中，所述啞元通過所述通孔連接到所述MRAM芯片本體的襯底，所述啞元通過所述通孔連接到地線。
2.如權利要求1所述的使用接地啞元的MRAM芯片，其特征在于，所述接地啞元在所述MRAM芯片排列成的MRAM陣列外圍至少有兩層。
3.如權利要求1所述的使用接地啞元的MRAM芯片，其特征在于，多個所述MRAM芯片排列成MRAM芯陣列時，所述接地啞元等間隔的插入所述MRAM芯片陣列空隙中。
4.如權利要求1所述的使用接地啞元的MRAM芯片，其特征在于，當所述MRAM陣列內部由于布板需要存在空隙時，所述接地啞元等間距插入陣列內部空隙中。
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