[發明專利]電容器及制造該電容器的方法

有效

• 申請號: 201711248130.7
• 申請日: 2017-12-01
• 公開（公告）號: CN108735719B
• 公開（公告）日: 2022-01-25
• 發明（設計）人: 柳廷勛;俞東植;韓昇勛;樸魯逸;林承模;申鉉浩
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L23/522;H01L21/768
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 包國菊;王春芝

本發明提供一種電容器及制造該電容器的方法。所述電容器包括主體，所述主體包括基板和設置在所述基板上的電容層。所述基板包括：多個第一溝，從所述基板的一個表面穿至所述基板的內部；以及第一電容器層，設置在所述基板的所述一個表面上和所述第一溝中。所述第一電容器層包括第一介電層和設置在所述第一介電層的相對側上的第一電極和第二電極。所述電容層包括：多個第二溝，從所述電容層的一個表面穿至所述電容層的內部；以及第二電容器層，設置在所述電容層的所述一個表面上和所述第二溝中。所述第二電容器層包括第二介電層和設置在所述第二介電層的相對側上的第三電極和第四電極。

本申請要求于2017年4月25日提交到韓國知識產權局的第10-2017-0053039號韓國專利申請的優先權的權益，所述韓國專利申請的公開內容通過引用被全部包含于此。

技術領域

本公開涉及一種電容器及制造該電容器的方法。

背景技術

諸如智能電話、可穿戴裝置等的便攜式信息技術(IT)產品正在變薄。為了使裝置的這樣的變薄成為可能，裝置中的無源元件本身變薄，以減小整個封裝件的厚度。

為此，對能夠實現與多層陶瓷電容器相比更薄的厚度的薄膜電容器的要求已經增加。

薄膜電容器在下述方面具有優點：可利用薄膜技術實現薄的電容器。

另外，薄膜電容器在下述方面具有優點：不同于根據現有技術的多層陶瓷電容器，薄膜電容器具有低的等效串聯電感(ESL)，因此已經考慮薄膜電容器在應用處理器(AP)中作為去耦電容器(decoupling capacitor)的應用。

為了如上所述將薄膜電容器在應用處理器中用作去耦電容器，已經以焊盤側電容器(LSC，land-side capacitor)的形式制造薄膜電容器。

然而，在現有埋入式電容器的情況下，如果在電容器中識別到缺陷，則不可能重做電容器，結果在僅僅電容器不合格時整個裝置便可被認定為損失，由此導致顯著的損失費用。因此，存在以可重做的焊盤側電容器(LSC)的形式實現薄膜電容器的需求。

同時，由于LSC型薄膜電容器設置在焊球之間，因此薄膜電容器應該被設計為具有盡可能小的尺寸，以顯著地減小焊球去除面積。

同時，已經進行了對將能夠增大對實現電容做出貢獻的表面面積的溝型結構應用到薄膜電容器的技術的研究，以增大薄膜電容器的電容。

然而，上述溝型結構具有下述問題：在形成具有較深的深度的溝以增大電容的情況下，工藝和材料可能受到限制。

因此，需要一種能夠在考慮工藝難度和材料本身的限制的同時增大總表面面積的新型結構。

發明內容

本公開的一方面可提供一種電容器和制造該電容器的方法，所述電容器具有能夠顯著地增大電容器的電容的結構。

根據本公開的一方面，一種電容器可包括主體，所述主體包括基板和設置在所述基板上的電容層。所述基板可包括：多個第一溝，從所述基板的一個表面穿至所述基板的內部；以及第一電容器層，設置在所述基板的所述一個表面上和所述第一溝中，并且所述第一電容器層包括第一介電層和交替地設置的第一電極和第二電極，且所述第一介電層插設在所述第一電極和所述第二電極之間。所述電容層可包括：多個第二溝，從所述電容層的一個表面穿至所述電容層的內部；以及第二電容器層，設置在所述電容層的所述一個表面上和所述第二溝中，并且所述第二電容器層包括第二介電層和交替地設置的第三電極和第四電極，且所述第二介電層插設在所述第三電極和所述第四電極之間。