[發(fā)明專利]電容器及制造該電容器的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711248130.7
• 申請日: 2017-12-01
• 公開（公告）號: CN108735719B
• 公開（公告）日: 2022-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 柳廷勛;俞東植;韓昇勛;樸魯逸;林承模;申鉉浩
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L23/522;H01L21/768
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 包國菊;王春芝

1.一種電容器，包括：

主體，包括基板和設(shè)置在所述基板上的電容層，

其中，所述基板包括：

多個第一溝，從所述基板的一個表面穿至所述基板的內(nèi)部；以及

第一電容器層，設(shè)置在所述基板的所述一個表面上和所述第一溝中，并且所述第一電容器層包括第一介電層和交替地設(shè)置的第一電極和第二電極，且所述第一介電層插設(shè)在所述第一電極和所述第二電極之間，并且

所述電容層包括：

多個第二溝，從所述電容層的一個表面穿至所述電容層的內(nèi)部；以及

第二電容器層，設(shè)置在所述電容層的所述一個表面上和所述第二溝中，并且所述第二電容器層包括第二介電層和交替地設(shè)置的第三電極和第四電極，且所述第二介電層插設(shè)在所述第三電極和所述第四電極之間，

其中，每單位面積設(shè)置的所述第二溝的數(shù)量大于每單位面積設(shè)置的所述第一溝的數(shù)量，并且

其中，與所述第二溝相比，所述第一溝具有更寬的寬度和/或更深的深度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，所述電容層包括兩個或更多個電容層，所述兩個或更多個電容層中的每個電容層包括多個第二溝和第二電容器層，所述第二溝從所述電容層的一個表面穿入，所述第二電容器層設(shè)置在所述電容層的所述一個表面上和所述第二溝中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，所述基板由硅形成，并且所述電容層由多晶硅或非晶硅形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容器，其中，在所述基板的所述一個表面、所述電容層的所述一個表面和所述第一溝的表面以及所述第二溝的表面上摻雜n型雜質(zhì)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，所述電容器還包括設(shè)置在所述基板和所述電容層之間的絕緣層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，所述電容器還包括：

第一連接電極，從所述電容層的所述一個表面穿至所述第一電極；以及

第二連接電極，從所述電容層的所述一個表面穿至所述第二電極，

其中，所述第一連接電極連接至所述第一電極和所述第三電極，并且所述第二連接電極連接至所述第二電極和所述第四電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電容器，所述電容器還包括：

第一外電極和第二外電極，設(shè)置在所述主體的在第一方向上彼此相對的各個表面上，

其中，所述第一連接電極延伸為在所述主體的所述第一方向上延長，使得所述第一連接電極的一個端部連接至所述第一外電極，并且

所述第二連接電極延伸為在所述主體的所述第一方向上延長，使得所述第二連接電極的一個端部連接至所述第二外電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電容器，所述電容器還包括：

蓋層，設(shè)置在所述第一連接電極和所述第二連接電極上；以及

第一外電極和第二外電極，設(shè)置在所述蓋層上，并且通過第一導(dǎo)電過孔和第二導(dǎo)電過孔分別連接至所述第一連接電極和所述第二連接電極。

9.一種制造電容器的方法，所述方法包括：

通過蝕刻基板形成從所述基板的一個表面穿至所述基板的內(nèi)部的第一溝；

在所述基板的所述一個表面上和所述第一溝中形成第一電容器層，所述第一電容器層包括第一介電層和交替地設(shè)置的第一電極和第二電極，且所述第一介電層插設(shè)在所述第一電極和所述第二電極之間；

在所述基板的所述一個表面上形成電容層；

通過蝕刻所述電容層形成從所述電容層的一個表面穿至所述電容層的內(nèi)部的第二溝；以及

在所述電容層的所述一個表面上和所述第二溝中形成第二電容器層，所述第二電容器層包括第二介電層和交替地設(shè)置的第三電極和第四電極，且所述第二介電層插設(shè)在所述第三電極和所述第四電極之間，

其中，每單位面積設(shè)置的所述第二溝的數(shù)量大于每單位面積設(shè)置的所述第一溝的數(shù)量，并且

其中，與所述第二溝相比，所述第一溝形成為具有更寬的寬度和/或更深的深度。