[發(fā)明專利]一種固相合成高純偏硅酸鈣的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711247672.2 | 申請日： | 2017-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN107879351A | 公開（公告）日： | 2018-04-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李蔚;程玉晶;陳成 | 申請（專利權(quán)）人： | 華東理工大學 |
| 主分類號： | C01B33/24 | 分類號： | C01B33/24 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 200237 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 相合 高純 硅酸 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種固相合成高純偏硅酸鈣粉體的方法，其基本工藝是：以碳酸鈣和硅酸為原料，二者混合后在一定溫度下煅燒，即可獲得純度較高的β-偏硅酸鈣粉體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種固相合成高純偏硅酸鈣粉體的方法，其特征在于：所用碳酸鈣和硅酸為原料均為分析純。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種固相合成高純偏硅酸鈣粉體的方法，其特征在于：碳酸鈣和硅酸原料通過機械球磨方式混合，球磨混合介質(zhì)為氧化鋯磨球，料：球=1:3，球磨時間為24-48h，球磨后的混合料過40目篩。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種固相合成高純偏硅酸鈣粉體的方法，其特征在于：偏硅酸鈣合成溫度為1000℃，保溫時間為2h。
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