[發明專利]半導體結構的制備方法及半導體結構

有效

• 申請號: 201711246374.1
• 申請日: 2017-12-01
• 公開（公告）號: CN108063141B
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

1)提供一半導體襯底，所述半導體襯底包括器件單元區域、位于所述器件單元區域外圍的外圍單元區域，以及位于所述器件單元區域與所述外圍單元區域之間的過渡結構，所述器件單元區域內形成有第一淺溝槽隔離結構，以在所述器件單元區域內隔離出若干個第一有源區；所述外圍單元區域內形成有第二淺溝槽隔離結構，以在所述外圍單元區域內隔離出若干個第二有源區；

2)于所述器件單元區域的上表面形成阻擋層，包括步驟：

2-1)于所述器件單元區域、所述外圍單元區域和所述過渡結構的上表面形成所述阻擋層；

2-2)于所述阻擋層上涂布抗蝕劑；

2-3)去除所述外圍單元區域和所述過渡結構上表面的所述抗蝕劑和所述阻擋層；

3)在所述阻擋層的保護作用下將步驟2)得到的結構進行半導體氧化處理，以于所述外圍單元區域和所述過渡結構的上表面形成柵氧化層。

2.根據權利要求1所述的半導體結構的制備方法，其特征在于：位于所述外圍單元區域內的所述第二淺溝槽隔離結構的橫向尺寸大于位于所述器件單元區域內的所述第一淺溝槽隔離結構的橫向尺寸。

3.根據權利要求1所述的半導體結構的制備方法，其特征在于：所述器件單元區域的工藝容限小于所述外圍單元區域的工藝容限。

4.根據權利要求1所述的半導體結構的制備方法，其特征在于：步驟2)中形成的所述阻擋層包括氮化硅層。

5.根據權利要求1所述的半導體結構的制備方法，其特征在于：步驟2)中形成的所述阻擋層包括氧化層及氮化硅層，其中，所述氧化層位于所述器件單元區域的上表面，所述氮化硅層位于所述氧化層的上表面。

6.根據權利要求1所述的半導體結構的制備方法，其特征在于：步驟3)中，形成所述柵氧化層的方法包括熱氧化法。

7.根據權利要求1所述的半導體結構的制備方法，其特征在于：步驟3)之后，還包括去除所述阻擋層的步驟。

8.一種半導體結構，其特征在于，所述半導體結構包括：

半導體襯底，所述半導體襯底包括器件單元區域、位于所述器件單元區域外圍的外圍單元區域和位于所述器件單元區域與所述外圍單元區域之間的過渡結構；

第一淺溝槽隔離結構，位于所述器件單元區域內，并在所述器件單元區域內隔離出若干個第一有源區；其中，所述第一有源區與所述第一淺溝槽隔離結構完全相鄰接；

第二淺溝槽隔離結構，位于所述外圍單元區域，并在所述外圍單元區域內隔離出若干個第二有源區；其中，所述第二有源區與所述第二淺溝槽隔離結構完全相鄰接；及，

柵氧化層，位于所述外圍單元區域和所述過渡結構的上表面，所述柵氧化層由所述半導體襯底的半導體材質氧化形成，所述半導體結構還包括氧化區域，所述氧化區域位于所述外圍單元區域內，且位于所述第二淺溝槽隔離結構上部外圍，所述氧化區域是在用熱氧化法在所述外圍單元區域的上表面形成所述柵氧化層的過程中形成，所述氧化區域與所述第二淺溝槽隔離結構相連接，所述氧化區域不形成于所述器件單元區域內。

9.根據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于：所述第一有源區截面的形狀包括梯形。

10.根據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于：位于所述外圍單元區域內的所述第二淺溝槽隔離結構的橫向尺寸大于位于所述器件單元區域內的所述第一淺溝槽隔離結構的橫向尺寸。