[發明專利]蝕刻液組合物、顯示裝置用陣列基板的制法及陣列基板

在審

• 申請號: 201711244038.3
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN108570679A
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發明（設計）人: 鞠仁說;尹暎晉;李鐘文
• 申請（專利權）人: 東友精細化工有限公司
• 主分類號: C23F1/26
• 分類號: C23F1/26;C23F1/18;H01L21/3213;H01L27/12
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 金鮮英;宋?；?/td>

本發明提供蝕刻液組合物、顯示裝置用陣列基板的制法及陣列基板，該蝕刻液組合物包含過硫酸鹽0.5～20重量％；氟化合物0.01～2重量％；無機酸1～10重量％；環狀胺化合物0.5～5重量％；氯化合物0.01重量％以上且小于0.1重量％；有機酸或有機酸鹽1～20重量％；和使蝕刻液組合物總重量成為100重量％的余量的水。本發明的蝕刻液組合物具有蝕刻輪廓優異的效果。此外，本發明的蝕刻液組合物具有在蝕刻金屬膜時抑制析出物產生從而可以預防由析出物導致的蝕刻性能降低、配線不良率增加、設備及管道中析出問題帶來的工序費用增加、廢水處理費用增加等問題的效果。

技術領域

本發明涉及蝕刻液組合物、顯示裝置用陣列基板的制法及陣列基板。

背景技術

一般而言，在半導體裝置及平板顯示裝置中，在基板上形成金屬配線的過程包括利用如下工序的步驟：利用濺射等的金屬膜形成工序；利用光致抗蝕劑涂覆、曝光及顯影的選擇性區域中的光致抗蝕劑形成工序；及蝕刻工序，并且包括在個別單元工序前后的清洗工序等。

上述蝕刻工序的意思是使用光致抗蝕劑作為掩模而在選擇性區域留下金屬膜的工序，通常使用利用等離子體等的干式蝕刻或使用蝕刻液的濕式蝕刻。

近年來，半導體裝置或平板顯示裝置中逐漸將金屬配線的電阻作為主要關注點。由于電阻是誘發RC信號延遲的主要因素，因此在平板顯示裝置中增大面板大小、實現高分辨率時非常重要。

為了實現平板顯示裝置中所必要的RC信號延遲的減小，必須開發低電阻的物質，且實際情況是，以往主要使用的鉻(Cr電阻率：12.7x 10^-8Ωm)、鉬(Mo電阻率：5x 10^-8Ωm)、鋁(Al電阻率：2.65x10^-8Ωm)及它們的合金難以用作大型TFT LCD中所使用的柵極配線和數據配線等。

在這樣的背景下，對于作為新型低電阻金屬膜中之一的銅膜受到關注。這是因為，已知銅膜與鋁膜或鉻膜相比具有電阻明顯低且在環境方面也沒有大問題的優點。但是，銅膜在涂布光致抗蝕劑進行圖案化的工序中難點較多，且發現了與硅絕緣膜的粘接力差的缺點。

因此，對彌補低電阻銅單層膜的缺點的多層金屬膜進行了研究，其中，尤其受到矚目的物質是銅-鈦雙層膜。

韓國公開專利第10-2010-0123131號中對蝕刻包含鈦和銅的金屬膜的蝕刻液組合物進行了記載，但上述蝕刻液組合物維持蝕刻性能的時間短，且具有因用于縮小蝕刻速度性能降低的無機酸導入而導致的過侵蝕等問題，因而實際情況是，仍然需要開發用于蝕刻銅-鈦雙層膜的蝕刻液組合物。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：韓國公開專利第10-2010-0123131號

發明內容

所要解決的課題

本發明的目的在于提供蝕刻輪廓優異且在蝕刻金屬膜時不產生析出物的蝕刻液組合物。

此外，本發明的目的在于提供使用上述蝕刻液組合物制造顯示裝置用陣列基板的方法以及由上述制造方法制造的顯示裝置用陣列基板。

解決課題的方法

為了實現上述目的，本發明提供一種蝕刻液組合物，相對于組合物總重量，包含：

過硫酸鹽0.5～20重量％；

氟化合物0.01～2重量％；

無機酸1～10重量％；

環狀胺化合物0.5～5重量％；

氯化合物0.01重量％以上且小于0.1重量％；

有機酸或有機酸鹽1～20重量％；和