[發(fā)明專利]蝕刻液組合物、顯示裝置用陣列基板的制法及陣列基板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711244038.3
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN108570679A
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鞠仁說;尹暎晉;李鐘文
• 申請（專利權(quán)）人: 東友精細化工有限公司
• 主分類號: C23F1/26
• 分類號: C23F1/26;C23F1/18;H01L21/3213;H01L27/12
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 金鮮英;宋海花

1.一種蝕刻液組合物，相對于組合物總重量，包含：

過硫酸鹽0.5～20重量％；

氟化合物0.01～2重量％；

無機酸1～10重量％；

環(huán)狀胺化合物0.5～5重量％；

氯化合物0.01重量％以上且小于0.1重量％；

有機酸或有機酸鹽1～20重量％；和

使蝕刻液組合物總重量成為100重量％的余量的水。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，所述蝕刻液組合物蝕刻由鈦系金屬膜形成的單層膜、或者包含所述單層膜和銅系金屬膜的多層膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，過硫酸鹽包含選自由過硫酸鉀、過硫酸鈉和過硫酸銨組成的組中的一種以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，所述氟化合物包含選自由氟化銨、氟化鈉、氟化鉀、氟化氫銨、氟化氫鈉和氟化氫鉀組成的組中的一種以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，所述無機酸包含選自由硝酸、硫酸、磷酸和高氯酸組成的組中的一種以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，所述環(huán)狀胺化合物包含選自由5-氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、吡咯啉、5-甲基四唑、1-甲基-5-氨基四唑和1-乙基-5-氨基四唑組成的組中的一種以上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，所述氯化合物包含選自由鹽酸、氯化鈉、氯化鉀、氯化銨、乙烷磺酰氯和甲烷磺酰氯組成的組中的一種以上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，所述有機酸包含選自由煙酸、乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、草酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基鄰苯二甲酸、水楊酸、磺基水楊酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、蘋果酸、酒石酸、異檸檬酸、丙烯酸、亞氨基二乙酸和乙二胺四乙酸組成的組中的一種以上，

所述有機酸鹽包含選自由所述有機酸的鈉鹽、鉀鹽和銨鹽組成的組中的一種以上。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，相對于蝕刻液組合物總重量，所述蝕刻液組合物進一步包含銅化合物0.01～3重量％。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的蝕刻液組合物，其特征在于，所述銅化合物包含選自由硫酸銅、氯化銅和硝酸銅組成的組中的一種以上。

11.一種顯示裝置用陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

(a)在基板上形成柵極配線的步驟；

(b)在包含所述柵極配線的基板上形成柵極絕緣層的步驟；

(c)在所述柵極絕緣層上形成半導體層的步驟；

(d)在所述半導體層上形成源電極和漏電極的步驟；及

(e)形成與所述漏電極連接的像素電極的步驟，

所述(a)步驟和(d)步驟中的任一步驟以上包括利用權(quán)利要求1～10中任一項所述的蝕刻液組合物進行蝕刻而形成各個柵極配線、源電極和漏電極的工序。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置用陣列基板的制造方法，其特征在于，顯示裝置用陣列基板為薄膜晶體管(TFT)陣列基板。

13.一種顯示裝置用陣列基板，其由權(quán)利要求11所述的制造方法制造。