[發(fā)明專利]一種集成電路引線成型裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711243659.X | 申請日: | 2017-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN108091578B | 公開(公告)日: | 2020-03-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉小玲 | 申請(專利權(quán))人: | 貴州航天電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 貴陽睿騰知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 52114 | 代理人: | 谷慶紅 |
| 地址: | 550009 *** | 國省代碼: | 貴州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 集成電路 引線 成型 裝置 | ||
本發(fā)明提供了一種集成電路引線成型裝置;由上模組件和下模組件組成,所述上模組件包括壓塊、中柱、上模座,上模座中心部位設(shè)置有圓孔用于安裝中柱,中柱為階梯圓柱狀,中柱與上模座中心部位的圓孔采取過盈配合進行安裝,壓塊中心設(shè)置有圓孔,圓孔與中柱形成過盈配合,壓塊外形為矩形且尺寸與上模座下部的矩形容納槽匹配并形成過渡配合,壓塊套在中柱上,外形卡在容納槽中。本發(fā)明能高效完成集成電路引線的成型,定位可靠,成型一致性好,并且表面沒有壓痕,成型尺寸控制精準,引線成型的共面性好,成型效率高,易于實現(xiàn)批量生產(chǎn),而且該裝置結(jié)構(gòu)簡單新穎,安裝方便,操作簡單,易于加工制造,使用效果好。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種集成電路引線成型裝置。
背景技術(shù)
隨著電子技術(shù)的不斷進步,集成電路封裝技術(shù)得到了很大的發(fā)展,集成電路引線成型原本是集成電路封裝的后道工序,但為了給設(shè)計者在電路板設(shè)計過程中留有較大的選擇空間以及在不進行焊接的前提下可進行程序燒錄和模擬仿真等試驗,未經(jīng)引線成型的集成電路在產(chǎn)品中得到廣泛應(yīng)用,這就帶來一個問題,就是在進行焊接前需對被焊接的集成電路進行引線成型,目前主要通過手工的方法完成集成電路的引線成型,雖然其成型的靈活性較大,但是成型的一致性差,引線成型的共面性差,工作效率低,工藝上不易控制,給后續(xù)集成電路的焊接帶來較大影響。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種集成電路引線成型裝置,該集成電路引線成型裝置能高效完成集成電路引線的成型,成型一致性好,成型尺寸控制精準,引線成型的共面性好,成型效率高,易于實現(xiàn)批量成型。
本發(fā)明通過以下技術(shù)方案得以實現(xiàn)。
本發(fā)明提供的一種集成電路引線成型裝置;由上模組件和下模組件組成,所述上模組件包括壓塊、中柱、上模座,上模座中心部位設(shè)置有圓孔用于安裝中柱,中柱為階梯圓柱狀,中柱與上模座中心部位的圓孔采取過盈配合進行安裝,壓塊中心設(shè)置有圓孔,圓孔與中柱形成過盈配合,壓塊外形為矩形且尺寸與上模座下部的矩形容納槽匹配并形成過渡配合,壓塊套在中柱上,外形卡在容納槽中;所述下模組件包括下模座、第一導(dǎo)向柱、第二導(dǎo)向柱,下模座上部設(shè)置有與集成電路引線成型形狀相匹配的凸臺,凸臺與集成電路引線接觸處有圓角R,凸臺尺寸與集成電路引線成型尺寸A、R相匹配,下模座左右兩邊設(shè)置有第一導(dǎo)向柱、第二導(dǎo)向柱,第一導(dǎo)向柱、第二導(dǎo)向柱尺寸大小不同。
所述壓塊材料為聚氨酯橡膠板。
所述壓塊下部設(shè)置有開槽缺口,用于成型時避開成電路集成電路的外殼以免壓傷。
所述下模座材料為2A12鋁材,成型部位表面粗糙度0.8。
所述上模座材料為2A12鋁材,成型部位表面粗糙度0.8。
所述上模座下部設(shè)置有矩形容納槽,容納槽中心位置與中柱的安裝位置一致,容納槽尺寸與集成電路引線成型尺寸A、R相匹配。
所述上模座左右兩邊還設(shè)置有導(dǎo)向孔,導(dǎo)向孔與下模組件的第一導(dǎo)向柱、第二導(dǎo)向柱配合導(dǎo)正上下模的位置。
所述下模座凸臺中間設(shè)置有凹槽,用于放置集成電路,起定位作用,凹槽的尺寸與集成電路的外殼尺寸相匹配。
本發(fā)明的有益效果在于:能高效完成集成電路引線的成型,定位可靠,成型一致性好,并且表面沒有壓痕,成型尺寸控制精準,引線成型的共面性好,成型效率高,易于實現(xiàn)批量生產(chǎn),而且該裝置結(jié)構(gòu)簡單新穎,安裝方便,操作簡單,易于加工制造,使用效果好。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是圖1的仰視圖。
圖中:1-下模座,2-第一導(dǎo)向柱,3-壓塊,4-中柱,5-上模座,6-第二導(dǎo)向柱,7-集成電路,8-凹槽。
具體實施方式
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





