[發明專利]光刻投影物鏡、邊緣曝光系統和邊緣曝光裝置

有效

• 申請號: 201711243395.8
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN109856915B
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: 程習敏;田翠俠;藍科
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備（集團）股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G02B13/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

本發明提供了一種光刻投影物鏡，所述光刻投影物鏡包括第一鏡組、第二鏡組、第三鏡組、第四鏡組、第五鏡組、第六鏡組，所述第一鏡組、第二鏡組、第三鏡組、第四鏡組、第五鏡組、第六鏡組的焦距滿足：0.05f1/f0.15；?0.32f2/f?0.22；0.08f3/f0.18；0.05f4/f0.15；?0.7f5/f?0.5；0.06f6/f0.16；其中，所述光刻投影物鏡的總焦距為f，所述第一鏡組的焦距為f1，所述第二鏡組的焦距為f2，所述第三鏡組的焦距為f3，所述第四鏡組的焦距為f4，所述第五鏡組的焦距為f5，所述第六鏡組的焦距為f6。本發明提供的一種光刻投影物鏡能夠使得操作簡單。

技術領域

本發明屬于光刻曝光技術領域，涉及光刻投影物鏡、邊緣曝光系統和邊緣曝光裝置。

背景技術

硅片邊緣曝光是IC電路制造的重要工藝環節，通過使用紫外光對硅片表面的光刻膠進行曝光使之發生化學變化并顯影完成硅片邊緣的去膠處理。

但是由于不同的工藝中所使用的的光刻膠的光譜響應范圍不同，這樣在加工的時候，就需要根據具體的光刻膠選擇不同的曝光鏡頭進行曝光，實際操作比較繁瑣。

發明內容

本發明的目的在于提供光刻投影物鏡、邊緣曝光系統和邊緣曝光裝置，旨在解決現有技術中邊緣曝光需要根據具體的光刻膠選擇不同的曝光鏡頭進行曝光帶來的操作繁瑣的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種光刻投影物鏡，所述光刻投影物鏡包括第一鏡組、第二鏡組、第三鏡組、第四鏡組、第五鏡組、第六鏡組，所述第一鏡組、第二鏡組、第三鏡組、第四鏡組、第五鏡組、第六鏡組的焦距滿足：

0.05f1/f0.15；-0.32f2/f-0.22；0.08f3/f0.18；0.05f4/f0.15；-0.7f5/f-0.5；0.06f6/f0.16；

其中，所述光刻投影物鏡的總焦距為f，所述第一鏡組的焦距為f1，所述第二鏡組的焦距為f2，所述第三鏡組的焦距為f3，所述第四鏡組的焦距為f4，所述第五鏡組的焦距為f5，所述第六鏡組的焦距為f6。

本發明進一步設置為，所述光刻投影物鏡包括至少六個鏡片，所述第一鏡組至少包括一個鏡片，所述第二鏡組至少包括一個鏡片，所述第三鏡組至少包括一個鏡片，所述第四鏡組至少包括一個鏡片，所述第五鏡組至少包括一個鏡片，所述第六鏡組至少包括一個鏡片。

本發明進一步設置為，所述至少六個鏡片的材料均為熔融石英。

本發明進一步設置為，還包括有一光闌。

本發明進一步設置為，所述光闌設置于所述第三鏡組與所述第四鏡組之間。

本發明進一步設置為，所述f的大小為367毫米，所述f1、f2、f3、f4、f5、f6與總焦距f之間大小的比值為：

f1/f＝0.11，f2/f＝-0.27，f3/f＝0.13，f4/f＝0.11，f5/f＝-0.59，f6/f＝0.11。

本發明還提供了一種邊緣曝光系統，包括如上任一項所述光刻投影物鏡，還包括光源以及光束傳遞模塊，所述光源發出光束經所述光束傳遞模塊后進入所述光刻投影物鏡。

本發明進一步設置為，還包括有光闌組件，所述光闌組件上設置有若干個光闌，所述光闌組件用于裝載所述若干個光闌，并可選擇一所述光闌位于所述第三鏡組與所述第四鏡組之間。

本發明進一步設置為，所述光束傳遞模塊為光纖。

本發明進一步設置為，所述光源的波長范圍為220納米～300納米。

本發明進一步設置為，所述光源的波長范圍為250納米～280納米。