[發(fā)明專利]光刻投影物鏡、邊緣曝光系統(tǒng)和邊緣曝光裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711243395.8
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN109856915B
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 程習(xí)敏;田翠俠;藍(lán)科
• 申請（專利權(quán)）人: 上海微電子裝備（集團）股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G02B13/00
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種光刻投影物鏡，其特征在于，所述光刻投影物鏡包括第一鏡組、第二鏡組、第三鏡組、第四鏡組、第五鏡組、第六鏡組，所述第一鏡組、第二鏡組、第三鏡組、第四鏡組、第五鏡組、第六鏡組的焦距滿足：

0.05f1/f0.15；-0.32f2/f-0.22；0.08f3/f0.18；0.05f4/f0.15；-0.7f5/f-0.5；0.06f6/f0.16；

其中，所述光刻投影物鏡的總焦距為f，所述第一鏡組的焦距為f1，所述第二鏡組的焦距為f2，所述第三鏡組的焦距為f3，所述第四鏡組的焦距為f4，所述第五鏡組的焦距為f5，所述第六鏡組的焦距為f6。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻投影物鏡，其特征在于，所述光刻投影物鏡包括至少六個鏡片，所述第一鏡組至少包括一個鏡片，所述第二鏡組至少包括一個鏡片，所述第三鏡組至少包括一個鏡片，所述第四鏡組至少包括一個鏡片，所述第五鏡組至少包括一個鏡片，所述第六鏡組至少包括一個鏡片。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光刻投影物鏡，其特征在于，所述至少六個鏡片的材料均為熔融石英。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的光刻投影物鏡，其特征在于，還包括有一光闌。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光刻投影物鏡，其特征在于，所述光闌設(shè)置于所述第三鏡組與所述第四鏡組之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的光刻投影物鏡，其特征在于，所述f的大小為367毫米，所述f1、f2、f3、f4、f5、f6與總焦距f之間大小的比值為：

f1/f＝0.11，f2/f＝-0.27，f3/f＝0.13，f4/f＝0.11，f5/f＝-0.59，f6/f＝0.11。

7.一種邊緣曝光系統(tǒng)，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至6任一項所述光刻投影物鏡，還包括光源以及光束傳遞模塊，所述光源發(fā)出光束經(jīng)所述光束傳遞模塊后進(jìn)入所述光刻投影物鏡，其中，進(jìn)入所述光束傳遞模塊的光束的波長范圍為250納米～280納米。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的邊緣曝光系統(tǒng)，其特征在于，還包括有光闌組件，所述光闌組件上設(shè)置有若干個光闌，所述光闌組件用于裝載所述若干個光闌，并可選擇一所述光闌位于所述第三鏡組與所述第四鏡組之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的邊緣曝光系統(tǒng)，其特征在于，所述光束傳遞模塊為光纖。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的邊緣曝光系統(tǒng)，其特征在于，所述光源的波長范圍為220納米～300納米。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的邊緣曝光系統(tǒng)，其特征在于，所述光源的波長范圍為250納米～280納米。

12.一種邊緣曝光裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求7至11任一項所述邊緣曝光系統(tǒng)，還包括有工件臺模塊、控制模塊、監(jiān)測模塊，所述工件臺模塊用于帶動基底活動并進(jìn)行曝光，所述監(jiān)測模塊用于對曝光過程進(jìn)行實時監(jiān)控，所述控制模塊用于接受所述監(jiān)測模塊的反饋并對工件臺模塊進(jìn)行控制。

13.一種使用如權(quán)利要求12所述邊緣曝光裝置的邊緣曝光方法，其特征在于，至少包括以下步驟：裝載基底至所述工件臺模塊，開啟所述光源發(fā)出曝光光束，所述曝光光束經(jīng)所述光束傳遞模塊、光刻投影物鏡后入射至所述基底，實現(xiàn)所述基底的邊緣曝光。